中国科学院空间应用工程与技术中心胡文祥获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院空间应用工程与技术中心申请的专利一种3D打印方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121043408B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511386613.8,技术领域涉及:B29C64/393;该发明授权一种3D打印方法是由胡文祥;张凯翔;刘兵山;段文艳;李鑫;贾新建设计研发完成,并于2025-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种3D打印方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种3D打印方法,获取待打印模型对应的实体模型和填充模版。填充模版包括m层相互堆叠的填充位图,各填充位图的尺寸均相同。对实体模型进行切片,得到N层模型切片位图,各模型切片位图的厚度和各填充位图的厚度均相同。基于所述填充模版填充所述N层模型切片位图,得到所述N层模型切片位图中每层模型切片位图对应的目标位图,其中,第f层填充位图用于填充第x*m+f层模型切片位图,x为大于或等于0的正整数;f为大于或等于0且小于或等于m的正整数。基于各层模型切片位图对应的目标位图,得到目标位图合集。基于目标位图合集,打印待打印模型,能够降低3D打印的数据存储量和计算复杂度,提高对大尺寸高分辨率3D模型的打印效率。
本发明授权一种3D打印方法在权利要求书中公布了:1.一种3D打印方法,其特征在于,应用于电子设备,所述方法包括: 获取待打印模型对应的实体模型和用于填充所述实体模型的填充模版;所述实体模型与所述待打印模型的外形相同;所述填充模版包括m层相互堆叠的填充位图;各所述填充位图的尺寸均相同; 对所述实体模型进行切片,得到N层模型切片位图;各所述模型切片位图的厚度和各所述填充位图的厚度均相同; 基于所述填充模版填充所述N层模型切片位图,得到所述N层模型切片位图对应的目标位图,其中,第f层填充位图用于填充第x*m+f层模型切片位图,x为大于或等于0的正整数;f为大于或等于0且小于或等于m的正整数; 基于各层模型切片位图对应的目标位图,得到目标位图合集; 基于所述目标位图合集,打印所述待打印模型; 所述填充模版基于填充模型确定,所述方法还包括: 确定所述填充模型在所述实体模型中的填充姿态; 在所述填充模型保持所述填充姿态的情况下,对所述填充模型进行切片,得到所述m层相互堆叠的填充位图;对所述填充模型的切片方向与对所述实体模型的切片方向相同; 基于所述m层相互堆叠的填充位图,得到所述填充模版; 所述基于所述填充模版填充所述N层模型切片位图,得到所述N层模型切片位图对应的目标位图,包括: 基于所述待打印模型的尺寸,确定所述待打印模型对应的包围盒;所述包围盒为长方体结构;在所述待打印模型位于所述包围盒中的情况下,所述包围盒包括的每一个平面均与所述待打印模型接触; 基于所述包围盒的尺寸和所述填充位图的尺寸,确定对应于所述填充位图的扩展倍数; 基于所述填充位图的扩展倍数,对所述第f层填充位图执行扩展处理,得到所述第f层填充位图对应的扩展位图;所述第f层填充位图对应的扩展位图包括多个第f层填充位图对应的内容; 所述第f层填充位图对应的扩展位图的尺寸与所述第x*m+f层模型切片位图的尺寸相同; 基于所述第f层填充位图对应的扩展位图填充所述第x*m+f层模型切片位图,得到所述第x*m+f层模型切片位图对应的目标位图。
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