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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利兼容CMOS工艺的MEMS致动冷却芯片及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121038584B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511559204.3，技术领域涉及：H10N39/00；该发明授权兼容CMOS工艺的MEMS致动冷却芯片及制作方法是由邹雪翠;杨卓;梁浩明;刘远;罗东向设计研发完成，并于2025-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本兼容CMOS工艺的MEMS致动冷却芯片及制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供了兼容CMOS工艺的MEMS致动冷却芯片及制作方法,涉及半导体冷却领域，包括致动器、反向振动结构和支撑结构，反向振动结构包括反向振动板，反向振动板上集成有CMOS驱动电路，CMOS驱动电路分别与致动器和反向振动板电连接并输出相位差相反的驱动电压，反向振动结构在致动器下方形成第一空腔；支撑结构设置在反向振动结构上，并形成与外界连通的第二空腔，致动器上设置有连通第一、第二空腔的气孔，支撑结构的上方用于设置芯片本体，本发明可兼容CMOS标准工艺，能与紧凑型电子设备的驱动控制电路实现单片集成，减少芯片间的互连损耗，同时降低因工艺不兼容导致的生产成本与集成难度。

本发明授权兼容CMOS工艺的MEMS致动冷却芯片及制作方法在权利要求书中公布了：1.兼容CMOS工艺的MEMS致动冷却芯片，其特征在于，包括： 致动器100，为MEMS致动器； 反向振动结构200，所述反向振动结构200包括自下而上依次低温键合的反向振动板210、第一玻璃层220和第一硅衬底230，所述反向振动板210上集成有CMOS驱动电路，所述CMOS驱动电路分别与所述致动器100和所述反向振动板210电连接并输出相位差相反的驱动电压，所述第一玻璃层220和所述第一硅衬底230上开设有凹陷的第一空腔240，所述致动器100设置在所述第一硅衬底230上，且位于所述第一空腔240的上方； 支撑结构300，设置在所述第一硅衬底230上，所述支撑结构300将所述致动器100包裹在所述支撑结构300形成的第二空腔310内，所述第二空腔310与外界连通，所述致动器100上设置有纵向贯穿所述致动器100的气孔110，所述第一空腔240和所述第二空腔310通过所述气孔110连通，所述支撑结构300的上方用于设置芯片本体320，所述致动器100与所述反向振动板210周期性的对第一空腔240内的气体压迫以使所述气孔110产生垂直作用于芯片本体320上的高速射流； 所述致动器100包括自下而上的硅基组件120、下电极组件130、压电组件140和上电极组件150，所述硅基组件120低温键合于所述第一硅衬底230上，所述压电组件140分别通过所述上电极组件150和所述下电极组件130与所述CMOS驱动电路电连接； 所述上电极组件150包括电极单元151，每个所述电极单元151包括优弧部151a以及放射部151b，所述放射部151b沿着所述优弧部151a的径向设置在所述优弧部151a远离圆心的一侧，所述放射部151b一端与所述优弧部151a电连接，所述放射部151b的另一端与所述第一硅衬底230电连接； 所述电极单元151设置有两个，两个所述电极单元151的所述优弧部151a同心； 若干所述气孔110设置在两个所述优弧部151a之间且呈环状阵列排布。

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