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龙图腾网获悉巨霖科技(上海)有限公司申请的专利一种电势场分布计算方法、计算机设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121031128B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511563119.4，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种电势场分布计算方法、计算机设备及存储介质是由翟淑伟;孙家鑫设计研发完成，并于2025-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电势场分布计算方法、计算机设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供了一种电势场分布计算方法、计算机设备及存储介质，用于半导体器件的仿真，包括：将所述半导体器件模型划分为若干网格；将所述半导体器件模型等价为平行电容板和多种电介质的模拟组合，并将各个网格的电势划分为受外部电势差影响产生的第一电势和器件内部电荷聚集产生的第二电势；根据所述模拟组合构建各个网格的电势所满足的泊松方程；计算所述泊松方程的齐次项分量作为所述第一电势；根据所述齐次项分量的差分计算所述泊松方程的非齐次项分量作为所述第二电势；根据所述第一电势和所述第二电势计算获得各个网格的总电势。该方案能够实现使用非迭代法计算获得电势场分布，从而加快求解速度，提高仿真效率。

本发明授权一种电势场分布计算方法、计算机设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种电势场分布计算方法，其特征在于，用于半导体器件的仿真，包括步骤： 将所述半导体器件模型划分为若干网格； 将所述半导体器件模型等价为平行电容板和多种电介质的模拟组合，并将各个网格的电势划分为受外部电势差影响产生的第一电势和器件内部电荷聚集产生的第二电势； 根据所述模拟组合构建各个网格的电势所满足的泊松方程； 计算所述泊松方程的齐次项分量作为所述第一电势； 根据所述齐次项分量的差分计算所述泊松方程的非齐次项分量作为所述第二电势； 根据所述第一电势和所述第二电势计算获得各个网格的总电势； 所述的将所述半导体器件模型等价为平行电容板和多种电介质的组合，还包括： 根据所述半导体器件模型的参数信息确定各个网格所受的外部电势V、各个网格所对应的不同电介质的介电常数，以及所述模拟组合的尺寸参数、和； 各个网格的电势所满足的泊松方程为： ， 其中，为电荷密度，为电容率；所述模拟组合的等效阴极位于位置，等效阳极位于位置； 电势齐次项分量的泊松方程为： ； 对于某个网格，齐次项分量的计算结果为：， 其中，为沿着方向没有氧空位的网格长度，为网格到所述平行电容板一侧电极的距离； 电势非齐次项分量的泊松方程为： ， 在电介质的界面处满足电位移矢量连续边界条件，即 ， ， ， 其中，和代表在界面两侧电介质内电势梯度的法向分量；，为界面两侧介电常数、的比值； 所述的根据所述齐次项分量的差分计算所述泊松方程的非齐次项分量，包括： 计算在电介质的界面处某个网格聚集的电荷量： ， ， 采用所述齐次项分量的差分代替，得到： ， 其中，为网格的长度；则， ， 非齐次项分量的计算结果为： ， 其中，为网格到网格的距离。

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