浙江晶越半导体有限公司高冰获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江晶越半导体有限公司申请的专利一种PVT法生长碳化硅单晶的装置及碳化硅单晶生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121023630B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511565634.6，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权一种PVT法生长碳化硅单晶的装置及碳化硅单晶生长方法是由高冰;黄寅迪设计研发完成，并于2025-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种PVT法生长碳化硅单晶的装置及碳化硅单晶生长方法在说明书摘要公布了：本发明属于碳化硅单晶材料技术领域，尤其涉及一种PVT法生长碳化硅单晶的装置及碳化硅单晶生长方法，所述PVT法生长碳化硅单晶的装置，包括坩埚、包裹坩埚的保温层及外部加热系统，所述保温层顶部设有中心散热区和至少三个周向分布的辅助散热区；所述辅助散热区的热传导效率低于中心散热区。本发明通过保温层顶部中心散热区与辅助散热区的热传导效率差异设计，协同分段压力调控工艺，在晶体生长初期构建稳定的径向热屏障以抑制边缘多晶缺陷深度压缩至亚毫米级，同时强化轴向温度梯度驱动高速生长，使晶体厚度突破18mm行业瓶颈且位错密度降低一个数量级，最终实现大尺寸碳化硅单晶“低缺陷厚生长”的突破。
本发明授权一种PVT法生长碳化硅单晶的装置及碳化硅单晶生长方法在权利要求书中公布了：1.一种PVT法生长碳化硅单晶的装置，包括坩埚1、包裹坩埚的保温层2及外部加热系统，其特征在于， 所述保温层2顶部设有中心散热区21和至少三个周向分布的辅助散热区22； 所述辅助散热区22的热传导效率低于中心散热区21； 所述中心散热区21为直径30-50mm的通孔，所述辅助散热区22为直径15-25mm的通孔； 所述辅助散热区22内嵌有导热系数高于保温层基材的填充件221； 所述填充件221为空心圆柱形状的石墨圆柱。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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