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龙图腾网获悉深圳市晶扬电子有限公司申请的专利一种单向超低压静电保护器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121013407B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510880881.9，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种单向超低压静电保护器件是由杜飞波;侯飞;高东兴设计研发完成，并于2025-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单向超低压静电保护器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种单向超低压静电保护器件，包括TVS主器件和低电压触发单元，TVS主器件包括N型重掺杂衬底和P型外延层，所述P型外延层内设有第一P+重掺杂有源区、N+重掺杂有源区和第二P+重掺杂有源区，第一P+重掺杂有源区、N+重掺杂有源区和第二P+重掺杂有源区相互配合构成一NPN型三极管，N型重掺杂衬底下表面能够与IO端口一相连，N+重掺杂有源区、第二P+重掺杂有源区能够与IO端口二相连，低电压触发单元设置于IO端口一与第一P+重掺杂有源区之间，低电压触发单元能够快速正偏导通第一P+重掺杂有源区和N+重掺杂有源区构成的PN结。本发明的有益效果为：能够降低静电保护器件的开启电压。

本发明授权一种单向超低压静电保护器件在权利要求书中公布了：1.一种单向超低压静电保护器件，其特征在于：包括TVS主器件和低电压触发单元，所述TVS主器件包括从下而上设置的N型重掺杂衬底和P型外延层，所述P型外延层内设有第一P+重掺杂有源区、N+重掺杂有源区和第二P+重掺杂有源区，所述第一P+重掺杂有源区的顶部、所述N+重掺杂有源区的顶部、所述第二P+重掺杂有源区的顶部与所述P型外延层的上表面平齐，所述第一P+重掺杂有源区、所述N+重掺杂有源区和所述第二P+重掺杂有源区相互配合构成一NPN型三极管，所述N型重掺杂衬底下表面能够与IO端口一相连，所述N+重掺杂有源区、所述第二P+重掺杂有源区能够与IO端口二相连，所述低电压触发单元设置于所述IO端口一与所述第一P+重掺杂有源区之间，所述低电压触发单元能够快速正偏导通所述第一P+重掺杂有源区和所述N+重掺杂有源区构成的PN结，进而导通所述NPN型三极管在所述N型重掺杂衬底和所述P型外延层之间形成主电流泄放路径。

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