南昌凯迅光电股份有限公司王苏杰获国家专利权
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龙图腾网获悉南昌凯迅光电股份有限公司申请的专利一种改善光谱的红外LED外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121001472B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511520935.7，技术领域涉及：H10H20/824；该发明授权一种改善光谱的红外LED外延片及其制备方法是由王苏杰;林晓珊;佟嘉欣;屈乾峰设计研发完成，并于2025-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种改善光谱的红外LED外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种改善光谱的红外LED外延片及其制备方法。该红外LED外延片由下往上依次包括N型GaAs衬底、N型GaAs缓冲层、N型电流扩展层、N型限制层、分压式单峰发光层、P型限制层、P型电流扩展层、P面接触层；分压式单峰发光层是由涨落层、量子阱层、应变过渡层、量子垒层依次生长的周期性结构。本发明在常规940nm红外LED外延结构的基础上，采取分压式单峰发光层的设计，可有效解决由于In组分偏析局域态、应力突变能级分裂和前驱体供应的TMIn源不稳定等多方面因素造成的发光光谱异常出现的双峰问题，该红外LED光谱稳定且仅有单一发光峰，性能优异。
本发明授权一种改善光谱的红外LED外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种改善光谱的红外LED外延片，其特征在于，所述红外LED外延片从N型GaAs衬底开始生长外延层，由下往上依次生长N型GaAs缓冲层、N型电流扩展层、N型限制层、分压式单峰发光层、P型限制层、P型电流扩展层、P面接触层； 所述分压式单峰发光层是由涨落层、量子阱层、应变过渡层、量子垒层依次生长的周期性结构； 所述涨落层的材料为InAs，在每个循环周期内的厚度为5nm～10nm；所述涨落层为非掺杂； 所述应变过渡层的材料为Inx1Ga1-x1AsP，在每个循环周期内的厚度为20nm～30nm，其中，初始In组分x1设定值为0.15，在所述应变过渡层的生长过程中，x1从0.15逐渐减小至0，且x1渐变的速率为0.01s。
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