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深圳市汉嵙新材料技术有限公司蔡比亚获国家专利权

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龙图腾网获悉深圳市汉嵙新材料技术有限公司申请的专利纳米颗粒制备装置及纳米颗粒的制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120961111B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511488023.6,技术领域涉及:B01J19/24;该发明授权纳米颗粒制备装置及纳米颗粒的制备方法是由蔡比亚;王荣福;朱海峰;袁昌理设计研发完成,并于2025-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。

纳米颗粒制备装置及纳米颗粒的制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及纳米颗粒制备装置及纳米颗粒的制备方法。上述纳米颗粒制备装置包括气化机构以及温控机构,所述气化机构用于使原料气化形成气相产物并通入所述温控机构;所述温控机构包括依次连通的多个温控室,各所述温控室独立地具有温控部件,且沿着所述气相产物的输送方向,多个所述温控室内的温度能够设置为依次递减。上述纳米颗粒制备装置设有温控机构,以对通过气化机构气化形成的气相产物进行温度的逐级调控。温控机构设有多级梯度温度控制的多个温控室,能够实现原料分子扩散、成核以及晶体生长过程的调控,能够获得球形度较好的纳米颗粒,且提高纳米颗粒的尺寸和形貌的控制精准度。

本发明授权纳米颗粒制备装置及纳米颗粒的制备方法在权利要求书中公布了:1.一种纳米颗粒制备装置,其特征在于,包括气化机构以及温控机构,所述气化机构用于使原料气化形成气相产物并通入所述温控机构;所述温控机构包括依次连通的多个温控室,各所述温控室独立地具有温控部件,且沿着所述气相产物的输送方向,多个所述温控室内的温度能够设置为依次递减; 在逐级降温的过程中,所述气相产物依次经过第一温区、第二温区以及第三温区; 所述原料的沸点或升华点T1在200℃以上且不大于1000℃,所述第一温区的温度为0.5T1~0.8T1,所述第二温区的温度为0.25T1~0.5T1,所述第三温区的温度为0.02T1~0.25T1; 或者,所述原料的沸点或升华点T2在1000℃以上且不大于2000℃,所述第一温区的温度为0.4T2~0.65T2,所述第二温区的温度为0.15T2~0.4T2,所述第三温区的温度为0.01T2~0.15T2; 或者,所述原料的沸点或升华点T3在2000℃以上且不大于3000℃,所述第一温区的温度为0.35T3~0.55T3,所述第二温区的温度为0.08T3~0.35T3,所述第三温区的温度为0.008T3~0.08T3; 或者,所述原料的沸点或升华点T4在3000℃以上,所述第一温区的温度为0.3T4~0.5T4,所述第二温区的温度为0.04T4~0.3T4,所述第三温区的温度为0.005T4~0.04T4。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人深圳市汉嵙新材料技术有限公司,其通讯地址为:518000 广东省深圳市宝安区燕罗街道燕川社区燕山大道66号厂房101、201;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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