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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于双曲结构偏转调控的自发辐射主动控制系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120871311B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511034827.9，技术领域涉及：G02B5/00；该发明授权基于双曲结构偏转调控的自发辐射主动控制系统是由李汝江;穆罕默德·伊姆兰;马玉斌;刘英;贾永涛设计研发完成，并于2025-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于双曲结构偏转调控的自发辐射主动控制系统在说明书摘要公布了：本发明提供的基于双曲结构偏转调控的自发辐射主动控制系统，涉及量子光子调控技术领域，包括：双曲色散结构层、量子发射器、纳米波导以及衬底；量子发射器，用于发射待调控的自发辐射光子；双曲色散结构层，用于将待调控的自发辐射光子基于自身各向异性介电特性和光轴旋转调控原理进行处理，得到辐射强度改变的处理后辐射光子；纳米波导，用于将处理后辐射光子进行收集和引导传输，得到可被有效利用的导波光子；衬底，用于为双曲色散结构层、量子发射器以及纳米波导提供稳固的机械支撑平台。基于此，解决了固定参数限制灵活调节的难题，提高了自发辐射调控的灵活性、效率及带宽适应性，实现了高性能量子光源及相关器件的实际应用突破。

本发明授权基于双曲结构偏转调控的自发辐射主动控制系统在权利要求书中公布了：1.一种基于双曲结构偏转调控的自发辐射主动控制系统，其特征在于，包括：双曲色散结构层、量子发射器、纳米波导以及衬底； 所述量子发射器，用于发射待调控的自发辐射光子； 所述双曲色散结构层，用于将所述待调控的自发辐射光子基于自身各向异性介电特性和光轴旋转调控原理进行处理，得到辐射强度改变的处理后辐射光子； 所述纳米波导，用于将所述处理后辐射光子进行收集和引导传输，得到可被有效利用的导波光子； 所述衬底，用于为所述双曲色散结构层、所述量子发射器以及所述纳米波导提供稳固的机械支撑平台； 所述量子发射器、所述双曲色散结构层以及所述纳米波导均设置在所述衬底上表面； 所述双曲色散结构层设置在所述量子发射器与所述纳米波导之间，且所述纳米波导物理连接所述双曲色散结构层的侧向端面； 所述双曲色散结构层利用机械替换改变所述双曲色散结构层的光轴与量子发射器之间的光轴旋转角，以在不同的所述光轴旋转角下对所述待调控的自发辐射光子进行辐射强度控制处理，得到所述处理后辐射光子； 所述双曲色散结构层由金和二氧化硅组成的交替层构成； 每个所述交替层中金和二氧化硅的填充厚度为1:2，且金与二氧化硅层的厚度均小于所述量子发射器的工作波长。

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