浙江大学韦竹君获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种单片集成的硅基光馈天线获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116207487B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310089652.6，技术领域涉及：H01Q1/38；该发明授权一种单片集成的硅基光馈天线是由韦竹君;傅志磊;夏鹏辉;余辉;杨建义;王曰海设计研发完成，并于2023-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单片集成的硅基光馈天线在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单片集成的硅基光馈天线，所述单片集成的硅基光馈天线包括硅基片上天线、锗硅光电探测器、偏置网络和GSGpad部分。该硅基光馈天线通过大带宽和高RF饱和功率的锗硅光电探测器进行光电转化并馈入高增益和高定向性硅基片上天线发射到空间中，实现了高辐射功率和高效率传输。此外，该器件在CMOS兼容的SOI衬底以单片集成的方式构成，减小了传统混合集成的金属线键合的寄生效应，且器件结构尺寸紧凑，利于大规模集成。
本发明授权一种单片集成的硅基光馈天线在权利要求书中公布了：1.一种单片集成的硅基光馈天线，其特征在于：包括锗硅光电探测器、硅基片上天线、偏置网络和GSGpad；所述GSGpad为锗硅光电探测器提供直流偏置；所述锗硅光电探测器用于将光信号转化成电信号；所述硅基片上天线用于将电信号发射到自由空间中；所述偏置网络起到通直流隔交流作用，用于保证锗硅光电探测器产生的电信号全部馈入到硅基片上天线；所述单片集成的硅基光馈天线在CMOS兼容的绝缘体上硅SOI衬底以单片集成的方式构成；所述偏置网络由多个螺旋电感构成； 所述的锗硅光电探测器为容性、硅基片上天线为感性，两者采用共轭匹配设计。
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