中国科学院半导体研究所孔鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利忆阻器阵列运算电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116189738B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310190669.0，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权忆阻器阵列运算电路是由孔鑫;李志刚;陈刚;乔瑞秀;鲁华祥;边昳设计研发完成，并于2023-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本忆阻器阵列运算电路在说明书摘要公布了：本公开提供一种忆阻器阵列运算电路，包括：基本存储模块，包括多个基本存储单元，每个基本存储单元包括相互连接的第一忆阻器和第一晶体管；预处理模块，包括多个共栅放大器，共栅放大器与第一晶体管相连接，以及多个共栅放大器的输出电流汇总输出；偏置模块，用于为预处理模块提供偏置电压；其中，第一晶体管用于接收控制信息，预处理模块用于读取基本存储单元的输出电流，得到第一忆阻器的阻值信息；控制信息与阻值信息在预处理模块中进行乘累加运算。本公开的忆阻器阵列运算电路，扩展了忆阻器的高阻态与低阻态之间的阻值差异，提高了忆阻器阵列读算的并行度，提高了运算能效。
本发明授权忆阻器阵列运算电路在权利要求书中公布了：1.一种忆阻器阵列运算电路，其特征在于，包括： 基本存储模块，包括多个基本存储单元，每个所述基本存储单元包括相互连接的第一忆阻器和第一晶体管； 预处理模块，包括多个共栅放大器，所述共栅放大器与所述第一晶体管相连接，以及所述多个共栅放大器的输出电流汇总输出； 偏置模块，用于为所述预处理模块提供偏置电压； 其中，所述第一晶体管用于接收控制信息，所述预处理模块用于读取所述基本存储单元的输出电流，得到所述第一忆阻器的阻值信息； 所述控制信息与所述阻值信息在所述预处理模块中进行乘累加运算； 所述共栅放大器用于放大所述第一忆阻器的高阻态与低阻态的阻值差；在所述第一忆阻器是低阻态，且所述第一晶体管导通的情况下，所述共栅放大器的输出电流不受抑制；在所述第一忆阻器是高阻态的情况下，所述共栅放大器的输出电流被抑制。
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