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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种横向堆叠结构的无门化离子迁移管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116153759B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310120080.3，技术领域涉及：H01J49/06；该发明授权一种横向堆叠结构的无门化离子迁移管是由郭开泰;梁继民;王志成;卢超;郑洋;任胜寒;胡海虹设计研发完成，并于2023-02-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种横向堆叠结构的无门化离子迁移管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种横向堆叠结构的无门化离子迁移管，其包括沿垂直方向相对设置的第一屏蔽电极板和第二屏蔽电极板，所述第一屏蔽电极板和所述第二屏蔽电极板之间设置多层迁移电极板；所述迁移电极板的上表面和下表面均设置有电极条。本发明降低了堆叠单元的整体数量，降低了装配难度；省去实体离子门的结构不仅简化了迁移管的装配难度，而且可在不改变迁移管整体结构的条件下调整迁移距离，能够实现迁移距离根据应用场景自适应改变的功能，具有更高的全谱分辨率。

本发明授权一种横向堆叠结构的无门化离子迁移管在权利要求书中公布了：1.一种横向堆叠结构的无门化离子迁移管，其特征在于，包括沿垂直方向相对设置的第一屏蔽电极板和第二屏蔽电极板、以及相对设置的固定装置，所述第一屏蔽电极板和所述第二屏蔽电极板之间设置多层迁移电极板；所述迁移电极板的上表面和下表面均设置有电极条；所述固定装置是与第一屏蔽电极板和第二屏蔽电极板垂直的装置；所述垂直方向指的是与所述固定装置所处平面平行的方向； 所述迁移电极板包括绝缘平板和设置在绝缘平板的上表面和下表面的迁移电极条；所述绝缘平板的上表面的迁移电极条与下表面的迁移电极条在提供电势的功能上对应；所述迁移电极条均平行所述绝缘平板；所述迁移电极板之间形成用于离子传输的空腔；所述空腔的数量大于1；所述空腔中的迁移电极条之间能够沿垂直方向形成电势差，用于控制离子在空腔中的传输；所述空腔中的迁移电极条之间能够沿水平方向形成电势差，用于控制离子在空腔中传输； 选取某个特定的迁移电极条位置时，仅需通过提高一侧迁移电极条上施加的电势，降低另一侧迁移电极条上施加的电势，即可实现离子门结构的功能，通过控制迁移电极板之间的间隔距离调整模拟离子门对离子群的控制效果，通过更改选取某个特定的迁移电极条位置，实现调整模拟离子门位置，缩短了离子门至检测器间的迁移距离，实现了迁移距离调整功能。

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