旺宏电子股份有限公司吴冠纬获国家专利权
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龙图腾网获悉旺宏电子股份有限公司申请的专利存储器装置与其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116153363B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111487237.3，技术领域涉及：G11C16/04；该发明授权存储器装置与其操作方法是由吴冠纬;张耀文;卢俊良;杨怡箴设计研发完成，并于2021-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器装置与其操作方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种存储器装置与其操作方法，存储器装置包括P型阱区、公共源极线、接地选择线、至少一虚置接地选择线、多条字线、至少一虚置串列选择线、串列选择线、至少一位线以及至少一存储器串。字线设置于虚置接地选择线与虚置串列选择线之间，存储器串的多个存储单元的栅极连接于字线。操作方法包括以下步骤：对于选择的字线进行读取操作，施加读取电压至选择的字线，并且施加通过电压至未选择的其他字线、接地选择线。在读取操作结束之前，首先预先降低串列选择线与虚置串列选择线的电压，而后提升位线的电压。
本发明授权存储器装置与其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，其特征在于，包括： 一P型阱区、一公共源极线、一接地选择线、至少一虚置接地选择线、多条字线、至少一虚置串列选择线、一串列选择线以及至少一位线，其中该公共源极线设置于相邻该P型阱区，这些字线设置于该至少一虚置接地选择线与该至少一虚置串列选择线之间； 至少一存储器串，设置于该公共源极线与该至少一位线之间，该至少一存储器串的多个存储单元的栅极分别连接于这些字线；以及 一控制电路，用于在这些字线中选择一字线以进行一读取操作，以施加一读取电压至选择的该字线，并且施加一通过电压至未选择的其他字线、该接地选择线、该至少一虚置接地选择线、该串列选择线以及该至少一虚置串列选择线，该通过电压大于该读取电压， 其中，在该读取操作结束之前，首先该控制电路预先降低该串列选择线与该至少一虚置串列选择线的电压，在该串列选择线与该至少一虚置串列选择线的电压降低之后，提升该至少一位线的电压。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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