长鑫存储技术有限公司刘志拯获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利套刻标记、半导体结构及光掩膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116149149B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211105341.6，技术领域涉及：G03F9/00；该发明授权套刻标记、半导体结构及光掩膜是由刘志拯设计研发完成，并于2022-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本套刻标记、半导体结构及光掩膜在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种套刻标记、半导体结构及光掩膜，其中，所述套刻标记包括：使用第一光掩膜形成的第一标记、以及使用第二光掩膜形成的第二标记，所述第一标记与所述第二标记位于同一水平面；所述第一标记至少包括第一标记图案，所述第二标记至少包括第四标记图案；所述第一标记图案和所述第四标记图案为相似多边形，且所述第四标记图案位于所述第一标记图案的内侧；所述多边形至少有八条边。
本发明授权套刻标记、半导体结构及光掩膜在权利要求书中公布了：1.一种套刻标记，其特征在于，所述套刻标记包括：使用第一光掩膜形成的第一标记、以及使用第二光掩膜形成的第二标记，所述第一标记与所述第二标记位于同一水平面； 所述第一标记至少包括第一标记图案，所述第二标记至少包括第四标记图案；所述第一标记图案和所述第四标记图案为相似多边形，且所述第四标记图案位于所述第一标记图案的内侧；所述第一标记还包括沿第一方向定位的第二标记图案、以及沿第二方向定位的第三标记图案，所述第二标记还包括沿所述第一方向定位的第五标记图案、以及沿所述第二方向定位的第六标记图案；所述第一标记图案和所述第四标记图案的对称轴线均沿第一方向、第二方向以及与所述第一方向或所述第二方向呈预设角度方向延伸；位于所述预设角度方向的对称轴线两端的所述第二标记图案、所述第三标记图案、所述第五标记图案和所述第六标记图案用于确定所述第一光掩膜和所述第二光掩膜在所述预设角度方向上的偏移量； 当所述相似多边形为八边形时，所述预设角度为45°或90°；当所述相似多边形为十边形时，所述预设角度为36°、72°或108°；当所述相似多边形为十二边形时，所述预设角度为30°、60°或90°。
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