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龙图腾网获悉北京中博芯半导体科技有限公司申请的专利AlN薄膜的制备方法及半导体元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116145251B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310087517.8，技术领域涉及：C30B25/18；该发明授权AlN薄膜的制备方法及半导体元件是由卢国军;沈波;张立胜;杨学林;杨鑫设计研发完成，并于2023-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本AlN薄膜的制备方法及半导体元件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种AlN薄膜的制备方法及半导体元件。AlN薄膜的制备方法包括对衬底热处理、t0温度预通三甲基铝TMAl处理、t1恒温生长AlNbuffer1缓冲层、t2恒温生长AlNbuffer2缓冲层、t3恒温生长AlNbuffer3缓冲层以及t4恒温生长AlN层，其中，t1t0、t2t1、t4t3。本申请能够解决由于AlN晶格常数和衬底晶格常数差异较大导致的晶格失配，以及热膨胀系数差异导致的热失配问题，有助于提高AlN层的表面平整度、降低裂纹的产生。

本发明授权AlN薄膜的制备方法及半导体元件在权利要求书中公布了：1.一种AlN薄膜的制备方法，其特征在于，包括： 在第一载气氛围依次对衬底进行第一阶段热处理和第二阶段热处理，所述第一载气氛围包括氢气和氮气； 所述第一阶段热处理工艺包括：氢气的流量为200Lmin~250Lmin，氮气的流量为10Lmin～20Lmin，处理时间为1min~2min，处理温度范围为1150℃~1250℃；所述第二阶段热处理工艺包括：氢气的流量为150Lmin~200Lmin，氮气的流量为20Lmin～30Lmin，处理时间为2min~4min，处理温度范围为1050℃~1150℃； 对所述第二阶段热处理后的所述衬底进行预通TMAl处理； 所述预通TMAl处理结束后，在所述衬底表面生长AlNbuffer1缓冲层； 在所述AlNbuffer1缓冲层表面生长AlNbuffer2缓冲层； 在所述AlNbuffer2缓冲层表面生长AlNbuffer3缓冲层； 在所述AlNbuffer3缓冲层表面生长AlN层； 其中，所述预通TMAl处理的温度为t0； 生长所述AlNbuffer1缓冲层包括第一恒温生长阶段，所述第一恒温生长阶段的生长温度为t1，t1t0； 生长所述AlNbuffer2缓冲层包括第二恒温生长阶段，所述第二恒温生长阶段的生长温度为t2，t2t1； 生长所述AlNbuffer3缓冲层包括第三恒温生长阶段，所述第三恒温生长阶段的生长温度为t3，t3t1； 生长所述AlN层包括第四恒温生长阶段，所述第四恒温生长阶段的生长温度为t4，t4t3。

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