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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133362B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110890950.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由王沛萌设计研发完成，并于2021-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：形成电容基板，所述电容基板包括多个电容转接结构以及位于相邻所述电容转接结构之间且覆盖所述电容转接结构顶面的隔离层；去除覆盖于所述电容转接结构顶面的所述隔离层，暴露所述电容转接结构；氧化所述电容基板暴露有所述电容转接结构的表面，形成氧化层；去除所述氧化层，暴露所述电容转接结构。本发明减少了电容转接结构表面的缺陷，且避免了相邻电容转接结构之间短路的问题，从而改善了半导体结构的电性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤： 形成电容基板，所述电容基板包括多个电容转接结构以及位于相邻所述电容转接结构之间且覆盖所述电容转接结构顶面的隔离层； 去除覆盖于所述电容转接结构顶面的所述隔离层，暴露所述电容转接结构； 所述电容转接结构的材料为钨； 去除覆盖于所述电容转接结构顶面的所述隔离层的具体步骤包括：采用干法刻蚀工艺刻蚀所述隔离层；所述隔离层的材料为氮化物材料；采用干法刻蚀工艺刻蚀所述隔离层的具体步骤还包括：采用CF4、CHF3和O2的混合气体作为刻蚀气体刻蚀所述隔离层；暴露所述电容转接结构后，电容转接结构的钨材料被轰击，钨颗粒和氧化钨颗粒残留于所述电容基板表面； 氧化所述电容基板暴露有所述电容转接结构的表面，形成氧化层； 氧化所述电容基板暴露有所述电容转接结构的表面的具体步骤包括： 采用O2等离子体氧化所述电容基板暴露有所述电容转接结构的表面，及电容基板所述钨颗粒残留物； 所述电容基板表面残留的残留物，以及所述电容转接结构的顶面均形成相同的氧化层； 去除所述氧化层，暴露所述电容转接结构。

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