广东中图半导体科技股份有限公司向炯获国家专利权
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龙图腾网获悉广东中图半导体科技股份有限公司申请的专利一种外延片、制备方法及发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116130573B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310352331.0，技术领域涉及：H10H20/817；该发明授权一种外延片、制备方法及发光二极管是由向炯;王子荣;卢建航;张锦宏;王农华设计研发完成，并于2023-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种外延片、制备方法及发光二极管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种外延片、制备方法及发光二极管。外延片包括：衬底，衬底一侧设置有多个凸起结构，凸起结构呈周期排布，相邻凸起结构之间形成凹坑结构，相邻凹坑结构相连；第一缓冲层，位于靠近凹坑结构一侧；无掺杂GaN层，位于第一缓冲层远离衬底一侧；无掺杂GaN层内存在至少一种凹形微结构，同一种凹形微结构呈周期排布；沿垂直于衬底的方向，至少部分凹形微结构与凸起结构至少部分交叠；位于无掺杂GaN层远离衬底一侧依次设置的N型GaN层、多量子阱有源层、第二缓冲层和P型GaN层。通过在无掺杂GaN层中引入凹形微结构，降低后续生长GaN层中的位错密度和应力释放，改善晶体质量，提高出光效率。
本发明授权一种外延片、制备方法及发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种外延片，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底一侧设置有多个凸起结构，所述凸起结构呈周期排布，相邻所述凸起结构之间形成凹坑结构，相邻所述凹坑结构相连； 第一缓冲层，位于靠近所述凹坑结构一侧； 无掺杂GaN层，位于所述第一缓冲层远离所述衬底一侧；所述无掺杂GaN层内存在至少一种凹形微结构，同一种所述凹形微结构呈周期排布；沿垂直于所述衬底的方向，存在所述凹形微结构与所述凸起结构至少部分交叠； 位于所述无掺杂GaN层远离所述衬底一侧依次设置的N型GaN层、多量子阱有源层、第二缓冲层和P型GaN层。
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