买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海科技大学申请的专利一种低温高能效存内计算加速器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116126778B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211694748.7，技术领域涉及：G06F15/78；该发明授权一种低温高能效存内计算加速器是由束宇豪;张宏图;哈亚军设计研发完成，并于2022-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低温高能效存内计算加速器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低温高能效存内计算加速器。本发明的创新之处在于：高保留时间的低温3T存储单元设计：本发明提出了一种基于eDRAM的低温3T存储单元设计，它可以在没有任何字线电压提升方案的情况下显著提升保留时间，在写操作过程中实现全摆幅数据传输。低温自适应可重构灵敏放大器设计：本发明开发了一种低温片上自适应可重构灵敏放大器设计，通过配置ARSA的参考电压，可以实现片上精确的布尔逻辑计算。低温优化的FlashADC设计：本发明使用所设计的ARSA，在片上自适应产生15个ARSA的参考电压，并重构为4bitFlashADC。通过片上的自适应配置参考电压以及存储方式，该设计可以确保快速且低功耗卷积计算实现。

本发明授权一种低温高能效存内计算加速器在权利要求书中公布了：1.一种低温高能效存内计算加速器，其特征在于，包括C3T宏，每个C3T宏包括M行×N列的存储单元C3T阵列，输入信号通过数字时序转换器阵列转换成相应脉宽的时序信号并控制C3T宏中相应行的存储单元C3T对对应列的位线RBL的充放电；相应列位线RBL上的电压经由每个C3T宏中配置的灵敏放大器采样获取最终的结果，其中：在非卷积操作时，相应列位线RBL直接与灵敏放大器连接；在卷积操作模式中，通过控制开关的通断：先在每列位线RBL上接入相同大小的卷积电容；在完成对卷积电容的充放电之后，使得相邻两列位线RBL连接在一起，实现不同列之间的电荷重分配；最后，断开位线RBL与灵敏放大器的连接，并使得不同列上不同大小的电荷被灵敏放大器采样并产生最终的输出结果；所述存储单元C3T包括一对互补的CMOS结构构成的传输门写端口以及由单管NMOS构成的读端口；对于写操作，存储数据经由写位线WBL并通过一对写字线WWL、WWLB控制的传输门写端口完成数据写入到存储节点SN；对于读操作，通过控制读信号RWL的脉宽长度来完成对位线RBL的不同充放电行为。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海科技大学，其通讯地址为：201210 上海市浦东新区华夏中路393号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。