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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利MOS器件的性能确定方法和确定系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116106713B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310013429.3，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权MOS器件的性能确定方法和确定系统是由杨杰设计研发完成，并于2023-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本MOS器件的性能确定方法和确定系统在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种MOS器件的性能确定方法和确定系统，其中，所述方法包括：对MOS器件施加激励信号，测试MOS器件的衬底电流，以得到第一响应电流；确定激励信号与第一响应电流之间的相位差，得到第一相位差；在MOS器件性能退化后，对MOS器件施加第一应力条件和激励信号，以第一预设时长为间隔测试MOS器件的衬底电流，以得到至少一个第二响应电流；确定激励信号与每一第二响应电流之间的相位差，得到至少两个第二相位差；在测试参数满足预设的终止条件下，基于第一相位差和最后一次测量的第二响应电流对应的第二相位差，确定MOS器件的性能；其中，激励信号的频率与MOS器件中的Si‑SiO2界面的特征频率的差值在第一预设范围内。

本发明授权MOS器件的性能确定方法和确定系统在权利要求书中公布了：1.一种MOS器件的性能确定方法，其特征在于，所述方法包括： 对MOS器件施加激励信号，测试所述MOS器件的衬底电流，以得到第一响应电流； 确定所述激励信号与所述第一响应电流之间的相位差，得到第一相位差，其中，所述激励信号为交流小信号； 在所述MOS器件性能退化后，对所述MOS器件施加第一应力条件和所述激励信号，以第一预设时长为间隔测试所述MOS器件的衬底电流，以得到至少一个第二响应电流； 确定所述激励信号与每一所述第二响应电流之间的相位差，得到至少两个第二相位差； 在测试参数满足预设的终止条件下，基于所述第一相位差和最后一次测量的第二响应电流对应的第二相位差，确定所述MOS器件的性能；其中，所述激励信号的频率与所述MOS器件中的Si-SiO2界面的特征频率的差值在第一预设范围内；测试参数满足预设的终止条件，包括：测试时间满足第二预设时长，或，所述第二相位差的相位变化率小于预设的第一变化率；基于所述第一相位差和最后一次测量的第二响应电流对应的第二相位差，确定所述MOS器件的性能，包括：确定所述第一相位差与最后一次测量的第二响应电流对应的第二相位差之间的差值；基于所述差值，确定所述MOS器件的性能； 所述方法还包括： 在所述MOS器件性能退化后，对所述MOS器件施加第二应力条件和所述激励信号，以所述第一预设时长为间隔测试所述MOS器件的衬底电流，得到至少一个第三响应电流；其中，所述第二应力条件与所述第一应力条件不同； 确定所述激励信号与每一所述第三响应电流之间的相位差，得到至少两个第三相位差； 获取第一时长和第二时长；其中，所述第一时长为所述第二相位差的相位变化率小于预设的第二变化率时对应的时长，所述第二时长为所述第三相位差的相位变化率小于所述预设的第二变化率时对应的时长； 基于所述第一时长和所述第二时长，确定在不同应力条件下所述MOS器件的性能恢复速度。

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