苏州晶湛半导体有限公司程凯获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116057710B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080103322.2，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权半导体结构及其制作方法是由程凯设计研发完成，并于2020-09-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：基底10，基底内具有多条并排设置的条状沟槽101；以及位于条状沟槽的底壁、侧壁以及条状沟槽外的基底上的异质结结构11，位于底壁与条状沟槽外的基底上的异质结结构为极化区，位于侧壁的异质结结构为非极化区，极化区内具有载流子；异质结结构包括分别位于每条条状沟槽两端的源极区域11a与漏极区域11b，以及位于源极区域与所述漏极区域之间的栅极区域11c，源极区域与漏极区域之间的载流子被限定在各条极化区内流动。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底10，所述基底10内具有多条并排设置的条状沟槽101； 以及位于所述条状沟槽101的底壁、侧壁以及所述条状沟槽101外的所述基底10上的异质结结构11，位于所述底壁与所述条状沟槽101外的所述基底10上的所述异质结结构11为极化区，位于所述侧壁的所述异质结结构11为非极化区，所述极化区内具有载流子；所述异质结结构11包括分别位于每条所述条状沟槽101沿长度方向的两端的源极区域11a与漏极区域11b，以及位于所述源极区域11a与所述漏极区域11b之间的栅极区域11c，所述源极区域11a与所述漏极区域11b之间的所述载流子被限定在各条所述极化区内流动。
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