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龙图腾网获悉北京大学;北京昆迈医疗科技有限公司申请的专利用于设计磁屏蔽装置的方法和装置以及磁屏蔽装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116029058B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111243525.4，技术领域涉及：G06F30/17；该发明授权用于设计磁屏蔽装置的方法和装置以及磁屏蔽装置是由高家红;李东旭;盛经纬设计研发完成，并于2021-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于设计磁屏蔽装置的方法和装置以及磁屏蔽装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种用于设计磁屏蔽装置的方法和装置以及磁屏蔽装置，该方法包括：确定磁屏蔽装置内部的感兴趣区域，感兴趣区域为预期实现磁场屏蔽效果的区域，磁屏蔽装置包括嵌套设置的N层壳体；确定完备参数集，完备参数集用于描述N层壳体中的至少一层壳体的几何结构以及感兴趣区域与至少一层壳体中的每层壳体的相对位置关系；基于完备参数集获取描述几何结构的一组结果参数，其中，结果参数能够使感兴趣区域内的磁感应强度满足预设阈值。该方法更加科学且效率高，不仅使优化后的磁屏蔽性能与等间距方案相比有大幅度提升，还解决了解析法不能对非同心结构磁屏蔽装置进行优化的问题。

本发明授权用于设计磁屏蔽装置的方法和装置以及磁屏蔽装置在权利要求书中公布了：1.一种用于设计磁屏蔽装置的方法，其特征在于，包括： 确定所述磁屏蔽装置内部的感兴趣区域，所述感兴趣区域为预期实现磁场屏蔽效果的区域，所述磁屏蔽装置包括嵌套设置的层壳体，所述磁屏蔽装置的基本几何结构为具有柱面对称性且具有单端开口的圆柱形结构，所述层壳体的基本几何结构的中心不重合，其中，所述开口连通所述感兴趣区域与所述层壳体的外部空间，所述层壳体中的至少一层壳体的开口设有沿着所述壳体的外边缘向靠近所述圆柱形结构的对称轴方向延伸的环状结构，所述环状结构遮挡在相邻的壳体之间的垂直于所述对称轴方向的间隙； 确定完备参数集，所述完备参数集用于描述所述层壳体中的至少一层壳体的几何结构以及所述感兴趣区域与所述至少一层壳体中的每层壳体的相对位置关系，其中，所述完备参数集的参数包括所述圆柱形的底面半径，所述底面到所述感兴趣区域的中心的轴向距离，所述层壳体中的每一层壳体到所述感兴趣区域的中心的轴向距离和所述环状结构的宽度，其中代表第层壳体； 基于所述完备参数集获取描述所述几何结构的一组结果参数，其中，所述结果参数能够使所述感兴趣区域内的磁感应强度满足预设阈值； 其中，所述基于所述完备参数集获取描述所述几何结构的一组结果参数，包括： 以所述完备参数集为自变量，以所述感兴趣区域内的磁感应强度为因变量，输入到无导数优化模型中，得到一组最优参数，其中，所述自变量包括非单调递增自变量，所述非单调递增自变量增加时，所述因变量不单调增加，且设置常数用于在所述无导数优化模型中界定所述非单调递增自变量的上界； 验证所述最优参数中的非单调递增自变量是否达到了所述常数界定的上界； 如果是，则增大所述无导数优化模型的常数后再重新进行所述无导数优化模型的计算； 如果否，验证具有所述最优参数的磁屏蔽装置的感兴趣区域内的磁感应强度是否满足预设阈值；如果是，输出结果，且输出的结果为所述结果参数；如果否，调整所述无导数优化模型的输入，再重新进行所述无导数优化模型的计算。

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