南亚科技股份有限公司郑正达获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体结构的制造与测量系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116013797B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210610875.8，技术领域涉及：H10P74/20；该发明授权半导体结构的制造与测量系统是由郑正达;黄祖文设计研发完成，并于2022-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制造与测量系统在说明书摘要公布了：本公开提供一种多个半导体结构的制造与测量系统。该系统包括一处理腔室以及一测量元件。该处理腔室经配置以执行下列操作：形成一第一鳍片阵列在一晶圆的一晶粒的一区块；以及形成一第二鳍片阵列在该第一鳍片阵列上。该测量元件经配置以在该晶圆上执行一图案晶圆几何测量，以获得该第一鳍片阵列的一第一鳍片以及该第二鳍片阵列的一第一鳍片之间的一位移，且还经配置以依据该位移而确定该晶圆的一状态。
本发明授权半导体结构的制造与测量系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造及测量系统，包括： 一处理腔室；以及 一测量元件； 其中该处理腔室经配置以执行多个操作，包括： 形成一第一鳍片阵列在一晶圆的一晶粒的一区块中，其中该第一鳍片阵列具有包括彼此分开的第一鳍片至第N个鳍片的多个鳍片，其中N为一正整数；以及 形成一第二鳍片阵列在该第一鳍片阵列上，其中该第二鳍片阵列具有包括彼此分开的第一鳍片至第N个鳍片的多个鳍片，其中当该第二鳍片阵列重叠在该第一鳍片阵列上时该第一鳍片阵列的多个鳍片与该第二鳍片阵列的多个鳍片分别对准； 其中当该第一鳍片阵列的第一鳍片和第N个鳍片的顶部远离该第一鳍片阵列而倾斜时该测量元件经配置以在该晶圆上执行一图案晶圆几何测量，以通过纳米程度的该图案晶圆几何获得在该第一鳍片阵列的该第一鳍片与该第二鳍片阵列的该第一鳍片之间的一位移，以通过纳米程度的该图案晶圆几何获得在该第一鳍片阵列的第N个鳍片与该第二鳍片阵列的第N个鳍片之间的一位移，且还经配置以依据该位移而确定该晶圆的一状态。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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