长鑫存储技术有限公司高恩鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利写入缓存电路、数据写入方法和存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115994102B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111210536.2，技术领域涉及：G06F12/0877；该发明授权写入缓存电路、数据写入方法和存储器是由高恩鹏设计研发完成，并于2021-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本写入缓存电路、数据写入方法和存储器在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体电路设计领域，特别涉及一种写入缓存电路、数据写入方法和存储器，包括：控制模块，基于掩码写指令生成第一写入指针和待定位指针，基于写命令生成第二写入指针，基于掩码写移位指令生成第一输出指针，基于写移位指令生成第二输出指针；第一缓存模块，基于第一写入指针缓存待定位指针，基于第一输出指针输出定位指针；定位指针用于指示第二缓存模块输出根据掩码写指令生成的第二写入指针写入的写入地址；第二缓存模块，基于第二写入指针缓存写入地址，基于第二输出指针或定位指针输出缓存的写入地址，通过整合写入操作和掩码写入操作所需的写入地址存储空间，以减小写入电路在实际应用中的版图面积。
本发明授权写入缓存电路、数据写入方法和存储器在权利要求书中公布了：1.一种写入缓存电路，其特征在于，包括： 控制模块，被配置为，基于掩码写指令生成第一写入指针和待定位指针，基于写命令生成第二写入指针，基于掩码写移位指令生成第一输出指针，基于写移位指令生成第二输出指针；其中，所述写命令为写指令和所述掩码写指令中的一者，所述待定位指针与基于所述掩码写指令生成的所述第二写入指针对应于同一写入地址； 第一缓存模块，被配置为，采用队列的形式缓存数据，并基于所述第一写入指针缓存所述待定位指针，并基于所述第一输出指针输出定位指针；其中，所述定位指针为第一缓存模块缓存的所述待定位指针，用于指示第二缓存模块输出根据所述掩码写指令生成的所述第二写入指针写入的所述写入地址； 所述第二缓存模块，被配置为，采用队列的形式缓存数据，并基于所述第二写入指针缓存所述写入地址，并基于所述第二输出指针或所述定位指针输出缓存的所述写入地址。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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