凸版印刷株式会社西山硕芳获国家专利权
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龙图腾网获悉凸版印刷株式会社申请的专利有机导电膜的制造方法、有机导电膜以及层叠体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115989141B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180052174.0，技术领域涉及：B05D5/12；该发明授权有机导电膜的制造方法、有机导电膜以及层叠体是由西山硕芳;正田亮设计研发完成，并于2021-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本有机导电膜的制造方法、有机导电膜以及层叠体在说明书摘要公布了：一种有机导电膜的制造方法，包括：制备包含酸系有机导电性高分子、碱中和剂以及液体介质且在25℃的pH为4.0～6.5的涂液的工序；将涂液涂布在基材层上的工序；以及从所涂布的涂液中除去液体介质的工序。
本发明授权有机导电膜的制造方法、有机导电膜以及层叠体在权利要求书中公布了：1.一种有机导电膜，具备基材层和基材层上的酸系有机导电性高分子层，所述酸系有机导电性高分子层中的来自碱中和剂的阳离子含量为4.5～5.0mgcm3， 在利用4端子法的测定中，由下式表示的所述酸系有机导电性高分子层的表面电阻变化为4.0×102以下， 表面电阻变化＝耐光性试验后的表面电阻值耐光性试验前的表面电阻值 耐光性试验是指氙型促进耐光性试验，条件为：放射照度60Wm2、BPT温度63℃、槽内温度40℃、槽内湿度50％rh、试验时间500小时， 所述酸系有机导电性高分子包含聚噻吩系导电性高分子， 所述酸系有机导电性高分子层中的所述聚噻吩系导电性高分子和多阴离子掺杂剂的合计量为90质量％以上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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