中国科学院半导体研究所周代兵获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利双端面出光激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115986567B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111207058.X，技术领域涉及：H01S5/40；该发明授权双端面出光激光器及其制备方法是由周代兵;梁松;赵玲娟;王圩设计研发完成，并于2021-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本双端面出光激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明一方面提供了一种双端面出光激光器及其制备方法，双端面出光激光器包括：衬底；后光栅区，形成在衬底上，后光栅区两侧由近至远依次对称分布有相位区、增益区、前光栅区、调制器区；其中，后光栅区及前光栅区由光栅层构成，后光栅区及前光栅区的光栅层表面具有光栅。本发明实现了激光器速率和波长调谐性能翻倍的效果，为光通信系统提供一种新的光发射芯片的解决方案。
本发明授权双端面出光激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双端面出光激光器，其特征在于，包括： 衬底10； 后光栅区9，形成在所述衬底上，所述后光栅区9两侧由近至远依次对称分布有相位区4、8、增益区3、7、前光栅区2、6、调制器区1、5； 所述后光栅区9及前光栅区2、6由光栅层19构成，所述光栅层19表面具有光栅20； 其中，所述增益区3、7由依次叠设在所述衬底10上的第一下波导层11、第一多量子阱有源区12及第一上波导层13构成； 所述调制器区1、5由依次叠设在所述衬底10上的第二下波导层15、第二多量子阱有源区16及第二上波导层17构成； 倒台浅脊波导，形成于所述第一上波导层13、第二上波导层17及所述光栅层19上，所述倒台浅脊波导从下到上包括包层21、电接触层22；在电接触层22上刻蚀出隔离区图形，实现电隔离； P电极24，形成于倒台浅脊波导表面； N电极25，形成于所述衬底10底部。
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