买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利双极晶体管器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115985774B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310147994.9，技术领域涉及：H10D10/01；该发明授权双极晶体管器件及其制作方法是由许秀秀;吴建荣;李镇圻设计研发完成，并于2023-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本双极晶体管器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种双极晶体管器件及其制作方法，包括：提供衬底，衬底中形成有外集电极区，外集电极区的衬底表面形成有第一隔离层；衬底表面依次形成有外基区层和第二隔离层，外基区层和第二隔离层中形成有开口，开口暴露出第一隔离层；开口的侧壁形成有第一侧墙；形成第二侧墙，第二侧墙覆盖第一侧墙靠下部分的侧壁，湿法刻蚀第一隔离层暴露出衬底；形成发射极。本发明在形成第一侧墙之后，湿法刻蚀之前形成第二侧墙，湿法刻蚀过程中第二侧墙作为阻挡层，湿法刻蚀过程中损耗牺牲了第二侧墙，保护了第二侧墙下方的第一隔离层，避免湿法刻蚀过程中第一隔离层被侧掏。形成第一隔离层的侧壁规则，有利于后续发射极的填充。

本发明授权双极晶体管器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种双极晶体管器件的制作方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底中形成有外集电极区，所述外集电极区的衬底表面形成有第一隔离层；所述衬底表面还依次形成有外基区层和第二隔离层，所述外基区层和所述第二隔离层中形成有开口，所述开口暴露出所述第一隔离层；所述开口的侧壁形成有第一侧墙； 形成第二侧墙，所述第二侧墙覆盖所述第一侧墙靠下部分的侧壁，所述第二侧墙的底部位于所述第一隔离层上；形成所述第二侧墙，具体包括： 形成侧墙材料层，所述侧墙材料层至少覆盖所述第一侧墙的侧壁以及暴露出的所述第一隔离层； 干法刻蚀所述侧墙材料层，暴露出部分所述第一隔离层，刻蚀剩余的所述侧墙材料层为所述第二侧墙； 湿法刻蚀所述第一隔离层暴露出所述衬底；湿法刻蚀过程中损耗牺牲了所述第二侧墙，保护了所述第二侧墙下方的所述第一隔离层，避免湿法刻蚀所述第一隔离层形成侧掏； 形成发射极，所述发射极填充湿法刻蚀后的所述第一侧墙和所述第一隔离层围成的发射极窗口。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华虹宏力半导体制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。