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龙图腾网获悉中国工程物理研究院电子工程研究所申请的专利一种可大规模集成的微纳声学图像传感器及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115980762B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211659948.9，技术领域涉及：G01S15/89；该发明授权一种可大规模集成的微纳声学图像传感器及其控制方法是由彭波设计研发完成，并于2022-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可大规模集成的微纳声学图像传感器及其控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种可大规模集成的微纳声学图像传感器及其控制方法。该微纳声学图像传感器包括多个呈阵列排布的像素传感单元；每个像素传感单元均包括位于顶层的微机械超声换能器、位于底层的像素电路以及连接两者的电极间金属键合层；其中微机械超声换能器为振膜结构倒置的声电转换单元，通过下电极层与像素电路倒装连接；像素电路为“3T1D”结构的集成电路内部单元，具有峰值声压整流功能，通过逆相关双采样方法进行各像素传感单元声压信号的同步传感与寻址采样，且该采样方法具有全局快门功能。本发明可对像素传感单元进行大规模阵列集成，以及对超声回波的空间分布进行层析采样，能够直接实现目标声场的动态强度成像和距离层析成像。

本发明授权一种可大规模集成的微纳声学图像传感器及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种可大规模集成的微纳声学图像传感器，其特征在于，所述微纳声学图像传感器包括多个呈阵列排布的像素传感单元；每个像素传感单元均包括位于顶层的微机械超声换能器、位于底层的像素电路以及连接两者的电极间金属键合层； 所述微机械超声换能器为振膜结构倒置的声电转换单元，通过其下电极层与对应的像素电路进行晶圆级电气互连； 所述像素电路为微纳声学图像传感器集成电路的内部像素化阵列单元，具有“3T1D”电路结构，其中，所述像素电路包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3和二极管D1； 所述晶体管T1的源极连接微机械超声换能器的下电极层、漏极连接参考电压、栅极连接复位信号线； 所述晶体管T2的栅极连接晶体管T1的源极、源极连接晶体管T3的漏极、漏极连接电源电压； 所述晶体管T3的栅极连接所在像素电路对应的行寻址信号线RSi，漏极连接T2的源极，源极连接所在像素电路对应的列总线CSj； 所述二极管D1的正负极分别连接至T1的源极和参考电压，二极管D1的正极、T1的源极以及晶体管T2栅极三者连接构成浮置节点FG； 各像素传感单元的像素电路以列为单位，连接各列像素传感单元至对应的列总线CSj，所述列总线CSj同时作为列寻址信号线使用；以行为单位连接各行像素传感单元至对应的行寻址信号线RSi；所有像素电路均连接在同一复位信号线上； 所述像素电路采用逆双相关采样方法进行控制，且对各像素传感单元的信号电压进行行列寻址采样读出。

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