格芯(美国)集成电路科技有限公司乌兹玛拉娜获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利包括位于邻近源极/漏极区的沟道隔离下方的多孔半导体层的IC结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115954318B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211164602.1，技术领域涉及：H10W10/00；该发明授权包括位于邻近源极/漏极区的沟道隔离下方的多孔半导体层的IC结构是由乌兹玛拉娜;S·M·尚克;安东尼·肯德尔·斯坦普设计研发完成，并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括位于邻近源极/漏极区的沟道隔离下方的多孔半导体层的IC结构在说明书摘要公布了：本公开涉及包括位于邻近源极漏极区的沟道隔离下方的多孔半导体层的IC结构。一种集成电路IC结构包括位于体半导体衬底上方的有源器件，以及体半导体衬底中的围绕有源器件的隔离结构。有源器件包括具有中心区、通过第一沟槽隔离与中心区横向间隔开的第一端区、通过第二沟槽与中心区横向间隔开的第二端区的半导体层、位于中心区上方的栅极，以及位于第一和第二端区中的每一者中的源极漏极区。隔离结构包括：位于有源器件下方的多晶隔离层，围绕有源器件的第三沟槽隔离，以及位于第一沟槽隔离与多晶隔离层之间以及位于第二沟槽隔离与多晶隔离层之间的多孔半导体层。
本发明授权包括位于邻近源极/漏极区的沟道隔离下方的多孔半导体层的IC结构在权利要求书中公布了：1.一种集成电路IC结构，包括： 位于体半导体衬底上方的有源器件，所述有源器件包括具有中心区、通过第一沟槽隔离与所述中心区横向间隔开的第一端区、通过第二沟槽隔离与所述中心区横向间隔开的第二端区的半导体层、位于所述中心区上方的栅极以及位于所述第一端区和所述第二端区中的每一者中的源极漏极区；以及 所述体半导体衬底中的围绕所述有源器件的隔离结构，所述隔离结构包括： 位于所述有源器件下方的多晶隔离层， 围绕所述有源器件的第三沟槽隔离，以及 位于所述第一沟槽隔离与所述多晶隔离层之间以及位于所述第二沟槽隔离与所述多晶隔离层之间的多孔半导体层。
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