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龙图腾网获悉绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利一种SGT器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115954272B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211483902.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种SGT器件及其制造方法是由孙少娟;周佛灵设计研发完成，并于2022-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SGT器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SGT器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底中形成有沟槽，沟槽的内表面覆盖有第一介电层，沟槽中形成有屏蔽栅极；回刻蚀第一介电层，以暴露屏蔽栅极的顶部以及沟槽侧壁的半导体衬底；沉积形成覆盖屏蔽栅极的顶部、第一介电层顶部和沟槽侧壁的介电材料层；回刻蚀介电材料层，屏蔽栅极的顶部剩余的介电材料作为第二介电层。根据本发明提供的SGT器件及其制造方法，通过在沟槽中沉积形成覆盖屏蔽栅的顶部和沟槽侧壁的介电材料层形成IPO，可以避免屏蔽栅极的掺杂离子扩散，改善栅极介电层GOX的厚度均匀性，进而提高阈值电压Vth的一致性，同时保证形成的IPO的厚度，降低栅极漏电流IGSS升高或器件失效的风险。

本发明授权一种SGT器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种SGT器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有沟槽，所述沟槽的内表面覆盖有第一介电层，所述沟槽中形成有屏蔽栅极； 回刻蚀所述第一介电层，以暴露所述屏蔽栅极的顶部以及所述沟槽侧壁的半导体衬底； 沉积形成覆盖所述屏蔽栅极的顶部、所述第一介电层顶部和所述沟槽侧壁的介电材料层； 回刻蚀所述介电材料层，所述屏蔽栅极的顶部剩余的介电材料作为第二介电层； 其中，沉积形成覆盖所述屏蔽栅极的顶部、所述第一介电层顶部和所述沟槽侧壁的介电材料层包括： 执行第一化学气相沉积，以在所述屏蔽栅极的顶部、所述第一介电层顶部和所述沟槽侧壁上形成具有第一厚度的第一介电材料层； 执行第二化学气相沉积，以在所述屏蔽栅极的顶部、所述第一介电层顶部和所述沟槽侧壁上形成第二介电材料层，其中，在所述屏蔽栅极的顶部的所述第二介电材料层具有第二厚度，在所述沟槽侧壁上的所述第二介电材料层具有第三厚度。

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