株式会社电装;国立大学法人埼玉大学巴赫曼·苏丹尼获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社电装;国立大学法人埼玉大学申请的专利用于晶片的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115945799B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211220832.5，技术领域涉及：B23K26/38；该发明授权用于晶片的制造方法是由巴赫曼·苏丹尼;安田浩一朗;高木亮汰;河津知树;傍岛骏介;一色勇太朗;野村飒大;白井秀彰;山田洋平;池野顺一设计研发完成，并于2022-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于晶片的制造方法在说明书摘要公布了：一种用于晶片的制造方法，包括：将激光束辐射到待切断该晶锭的计划切断表面上；以及利用该激光束的辐射，在该计划切断表面处形成多个改造部31，以从该改造部延伸裂纹，从而对晶片进行切割，其中，该激光束的能量密度超过改造阈值Eth。该能量密度满足以下条件中的至少一个：该能量密度的峰值Ep小于或等于44Jcm2；在与该能量密度达到该改造阈值Eth的最浅位置对应的部分处的该能量密度的上升率α大于或等于1000Jcm3；以及该能量密度超过该改造阈值的深度范围W小于或等于30μm。
本发明授权用于晶片的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种用于晶片的制造方法，其中，利用激光束切断透明或半透明的晶锭以获得所述晶片，所述方法包括以下步骤： 将所述激光束从与计划切断表面相交的方向在多个部分处辐射到所述晶锭，所述晶锭在所述计划切断表面处要被切断；以及 利用所述激光束的辐射，在所述晶锭中的与所述计划切断表面的深度位置对应的部分处形成多个改造部，以从作为起源的所述改造部延伸裂纹，由此对晶片进行切割， 其中， 作为当将所述激光束辐射到所述晶锭时所述晶锭中的所述激光束的每单位面积的能量的能量密度超过能够在所述计划切断表面上改造所述晶锭的部分的改造阈值； 所述能量密度满足所有以下条件1、条件2和条件3： 条件1：所述能量密度的峰值小于或等于44Jcm2； 条件2：所述能量密度在与所述能量密度达到所述改造阈值的最浅位置对应的部分处的的上升率大于或等于1000Jcm3； 条件3：其中所述能量密度超过所述改造阈值的深度范围小于或等于30μm。
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