福建省晋华集成电路有限公司张皓宇获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115939213B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211429157.7，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权半导体结构及其制备方法是由张皓宇;陈敏腾设计研发完成，并于2022-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构中，将U型沟道层设置在栅极导电层内的竖直通孔中，并将第一接触垫和第二接触垫分别设置在U型沟道层的底部和顶部，使得半导体结构整体以竖直的方式设置，实现了尺寸的缩减。并且，U型沟道层具有第一沟道层和第二沟道层，第一沟道层可用于在栅极介质层的制备过程中覆盖栅极介质层，避免栅极介质层受到刻蚀轰击而产生刻蚀损伤，有利于提高半导体结构的性能稳定性。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 第一接触垫和第一绝缘结构，形成在所述衬底上，所述第一绝缘结构环绕在所述第一接触垫的外周； 栅极导电层，形成在所述第一绝缘结构上，并在所述栅极导电层的中心还形成有竖直的通孔，所述通孔位于所述第一接触垫的上方； 栅极介质层，设置在所述栅极导电层暴露于通孔的侧壁上； U型沟道层，形成在所述通孔内，所述U型沟道层包括第一沟道层和第二沟道层，所述第一沟道层设置在所述栅极介质层暴露于通孔的侧壁上，所述第一沟道层的材料包括氮化硅和或氧化铝，所述第二沟道层设置在所述第一沟道层的侧壁上并覆盖通孔底部的第一接触垫；以及， 第二接触垫，设置在所述通孔的顶部并连接所述U型沟道层； 第二导线，形成在所述第二接触垫的上方，所述第二导线直接接触所述第一沟道层、所述第二沟道层和所述第二接触垫的顶面。
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