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龙图腾网获悉无锡先瞳半导体科技有限公司申请的专利一种沟槽栅半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115939189B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211721026.6，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权一种沟槽栅半导体器件及其制造方法是由张艳旺;张子敏;钱振华;吴飞设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种沟槽栅半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种沟槽栅半导体器件及其制造方法，沟槽栅半导体器件包括：第一衬底层、第一掺杂区、第二掺杂区、第一导电构件、第二导电构件、源极电极；还包括两个第三掺杂区，形成在所述第一衬底层上且对应位于第二导电构件的下方，所述第三掺杂区的掺杂类型均为第二掺杂类型，并且两个所述第三掺杂区内的电荷量之和与位于两者之间的第一衬底层内的电荷量的比值范围为0.9‑1.1。本公开提供的半导体器件改善了电场分布，提升了器件的耐压值。

本发明授权一种沟槽栅半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽栅半导体器件，其特征在于，包括： 具有第一掺杂类型的第一衬底层； 形成在所述第一衬底层上方的具有第二掺杂类型的第一掺杂区； 形成在所述第一掺杂区部分区域上方的具有第一掺杂类型的第二掺杂区； 第一导电构件，由所述第一掺杂区的表面延伸到所述第一衬底层内，所述第一导电构件的周围形成第一绝缘层，以隔离所述第一导电构件与第一衬底层、第一掺杂区、第二掺杂区； 两个第二导电构件，由所述第一掺杂区的表面延伸到所述第一衬底层内且位于所述第一导电构件的相对两侧，所述第二导电构件的下表面低于所述第一导电构件的下表面，所述第二导电构件的周围形成第二绝缘层以隔离所述第二导电构件与第一衬底层、第一掺杂区； 源极电极，形成在所述第一掺杂区上方，所述源极电极分别与两个所述第二导电构件、第一掺杂区和第二掺杂区接触，所述源极电极与所述第一导电构件之间设有第四绝缘层； 两个第三掺杂区，形成在所述第一衬底层上且对应位于第二导电构件的下方，所述第三掺杂区的掺杂类型均为第二掺杂类型，并且两个所述第三掺杂区内的电荷量之和与位于两者之间的第一衬底层内的电荷量的比值范围为0.9-1.1。

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