上海华虹宏力半导体制造有限公司王剑敏获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利半导体薄膜的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115938914B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211512254.2，技术领域涉及：H10P14/60；该发明授权半导体薄膜的形成方法是由王剑敏;许国清;夏麟设计研发完成，并于2022-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体薄膜的形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体薄膜的形成方法，其在对待形成半导体薄膜的目标硅片进行高SOURCERF的HebaseHDP工艺之前，先对预置的一批作为监控片的硅片进行偏置功率逐渐改变的低SOURCERF的非HebaseHDP工艺，以通过利用低SOURCERF的非HebaseHDP工艺可以实现避免铝材质的制程工艺腔体发生电弧产生铝元素颗粒污染物的目的，同时再结合逐渐升高该第一次HDP工艺的偏置功率的方式，实现在保证所述制程工艺腔体未发生电弧现象的情况下逐渐将该制程工艺腔体的范围恢复到适合后续监控片或者目标晶片进行高SOURCERF的HebaseHDP工艺所需要的稳定的腔体氛围的目的。
本发明授权半导体薄膜的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体薄膜的形成方法，其特征在于，应用于高密度等离子体HDP工艺，所述HDP工艺采用铝材质的制程工艺腔体，所述形成方法包括如下步骤： 提供作为监控片的多个硅片，并将所述监控片放置在所述制程工艺腔体内的承载台上； 对所述监控片进行偏置功率可控的第一次HDP工艺，以在保证所述制程工艺腔体未发生电弧现象的情况下，依次在各所述监控片的表面上形成第一半导体薄膜； 当检测到表面上形成所述第一半导体薄膜的监控片的数目达到预设数目时，对所述监控片进行第二次HDP工艺，其中，所述第一次HDP工艺为低SOURCERF且偏置功率由低到高逐渐升高的非HebaseHDP工艺，所述第二次HDP工艺为高SOURCERF的HebaseHDP工艺，所述第二次HDP工艺的偏置功率高于第一次HDP工艺，且所述第二次HDP工艺与所述第一次HDP工艺的反应气体不同。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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