上海华虹宏力半导体制造有限公司段文婷获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115910790B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211316325.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及其制造方法是由段文婷设计研发完成，并于2022-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供的一种半导体结构及其制造方法中，由于PLDMOS器件中形成在N型深阱区内的漂移区在沿远离衬底的顶表面的方向上，漂移区的离子注入浓度降低后再升高。如此以能够提升PLDMOS器件的击穿电压和降低导通电阻，进而以提升PLDMOS器件的性能。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 对所述衬底执行第一离子注入工艺，以在所述衬底中形成深阱区； 在所述衬底上形成场氧层，所述场氧层包括间隔设置的第一场氧结构和第二场氧结构； 对所述衬底执行第二离子注入工艺，以在所述深阱区内形成漂移区并使所述第二场氧结构位于所述漂移区，其中所述漂移区的深度小于所述深阱区的深度，以及在沿远离所述衬底的顶表面的方向上，所述漂移区的离子注入浓度降低后再升高，其中，所述漂移区在沿远离所述衬底的顶表面的方向上分为第一漂移区、第二漂移区和第三漂移区，其中所述第一漂移区的离子注入浓度大于所述第三漂移区的离子注入浓度，所述第三漂移区的离子注入浓度大于所述第二漂移区的离子注入浓度； 在所述衬底上形成栅多晶硅层，所述栅多晶硅层形成在所述漂移区内。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华虹宏力半导体制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路1399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励