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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利反熔丝阵列结构及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115831919B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111093649.9，技术领域涉及：H10W20/49；该发明授权反熔丝阵列结构及存储器是由池性洙设计研发完成，并于2021-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本反熔丝阵列结构及存储器在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及半导体电路设计领域，特别涉及一种反熔丝阵列结构及存储器，包括：多个反熔丝集成结构，在位线延伸方向和字线延伸方向排列成反熔丝矩阵，位线延伸方向和字线延伸方向相互垂直；每一反熔丝集成结构与两条编程导线以及两条字线相连接；在字线的延伸方向上，每一反熔丝集成结构与相邻反熔丝集成结构共同连接相同编程导线和字线；在位线延伸方向上，每一反熔丝集成结构与相邻反熔丝集成结构共同连接在其中一条编程导线上。通过提供一种新的反熔丝阵列的布局方式，以实现相同容量的存储阵列仅需占用更小的布局面积，从而在原有布局面积的基础上，增大反熔丝存储单元之间的间距，保证反熔丝存储单元之间电气元件的电隔离效果。

本发明授权反熔丝阵列结构及存储器在权利要求书中公布了：1.一种反熔丝阵列结构，其特征在于，包括： 多个反熔丝集成结构，在位线延伸方向和字线延伸方向排列成反熔丝矩阵，所述位线延伸方向和所述字线延伸方向相互垂直； 每个反熔丝集成结构设置在同一有源区内，所述有源区的延伸方向与所述位线延伸方向相同； 每一反熔丝集成结构与两条编程导线以及两条字线相连接； 在所述字线的延伸方向上，每一反熔丝集成结构与相邻所述反熔丝集成结构共同连接相同所述编程导线和所述字线； 在所述位线延伸方向上，每一反熔丝集成结构与相邻所述反熔丝集成结构共同连接在其中一条所述编程导线上； 每一反熔丝集成结构都包括：第一反熔丝存储MOS管、第一开关管、第二开关管和第二反熔丝存储MOS管； 所述第一反熔丝存储MOS管的栅极连接第一编程导线； 所述第一开关管的栅极连接第一字线，源极或漏极的一端连接所述第一反熔丝存储MOS管，另一端连接所述位线； 所述第二开关管的栅极连接第二字线，源极或漏极的一端连接所述第二反熔丝存储MOS管，另一端连接所述位线； 所述第二反熔丝存储MOS管的栅极连接第二编程导线； 在所述位线延伸方向上，每一反熔丝集成结构的所述第二反熔丝存储MOS管的栅极，与相邻所述反熔丝集成结构的所述第一反熔丝存储MOS管的栅极连接同一编程导线。

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