沛顿科技(深圳)有限公司鲁禹辰获国家专利权
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龙图腾网获悉沛顿科技(深圳)有限公司申请的专利一种存储芯片基板布局结构及其布线方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115831912B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211702174.3，技术领域涉及：H10W70/62；该发明授权一种存储芯片基板布局结构及其布线方法是由鲁禹辰;张力;何洪文设计研发完成，并于2022-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种存储芯片基板布局结构及其布线方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种存储芯片基板布局结构及其布线方法，涉及半导体封装技术领域；包括板材，所述基板采用上下两层板材，板材一侧固定连接有top层和bot层，top层和bot层内部固定连接有核心块区，所述板材上方固定连接有LPDDR芯片区，LPDDR芯片区上方固定连接有主控芯片区和NANDFlash芯片区，top层内部固定连接有大量信号线区和少量电源一和电源二，其布局布线方法包括删除多余层，保留top层和bot层，移动NANDFlash芯片区和LPDDR芯片区，将主控芯片区放在LPDDR芯片区上方，使主控芯片区与NANDFlash芯片区处于同水平面等多个步骤；具有通过将芯片从四层板减少到两层板，降低了芯片基板的复杂程度，简化了工艺流程，节约了生产成本降低了生产损耗，使得超薄产品得以实现的优点。
本发明授权一种存储芯片基板布局结构及其布线方法在权利要求书中公布了：1.存储芯片基板布局结构的布局布线方法，其特征在于，包括如下步骤： S1：删除原4层板结构中多余M2层地层和M3层电源层，保留第一层top层2和最后一层bot层3； S2：移动NANDFlash芯片区7和LPDDR芯片区8，将主控芯片区5放在LPDDR芯片区8上方，使主控芯片区5与NANDFlash芯片区7处于同水平面； S3：通过金线11把主控芯片区5的部分pad和NANDFlash芯片区7的相应网络pad相连；通过金线11直接连接主控芯片区5和NANDFlash芯片区7； S4：将电源网络在top层2和bot层3布线走通； S5：将top层2和bot层3剩余空间区域布线，铺满地网络； S6：检查所有信号和电源地网络的连接情况，完成基板设计。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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