华虹半导体(无锡)有限公司章立鹏获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉华虹半导体(无锡)有限公司申请的专利金属离子含量的测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115825210B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211458975.X，技术领域涉及：G01N27/626；该发明授权金属离子含量的测试方法是由章立鹏;冯大贵;曹春生;余鹏;李勇;余涛设计研发完成，并于2022-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本金属离子含量的测试方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种金属离子含量的测试方法，提供再生晶圆，在再生晶圆上形成氧化层；利用非极性分子作为离子源形成的等离子体轰击再生晶圆上的氧化层，使得Si‑O键和Si‑Si键打开与非极性分子结合；将再生晶圆进行蚀刻，之后利用提取液滴在再生晶圆表面滚动，收集再生晶圆表面的金属成份；将提取液滴进行ICP‑MS分析，计算得到提取液滴中的金属成份含量。本发明的金属离子含量的测试方法解决了测试失败的问题，降低了金属离子测试成本，提升了机台复机效率。
本发明授权金属离子含量的测试方法在权利要求书中公布了：1.一种金属离子含量的测试方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供再生晶圆，所述再生晶圆的材料为硅，其中，所述再生晶圆为经过刻蚀机台工艺处理后表面呈亲水性的再生晶圆，在所述再生晶圆上形成氧化层，所述氧化层的材料为二氧化硅； 步骤二、利用非极性分子作为离子源形成的等离子体轰击所述再生晶圆上的所述氧化层，所述非极性分子为Ar,利用所述非极性分子作为离子源形成等离子体时，压力为5-20mt，温度为50-65℃，机台功率为350-500W，时间为2-8s； 步骤三、将所述再生晶圆进行蚀刻，之后利用提取液滴在所述再生晶圆表面滚动，收集所述再生晶圆表面的金属成份，所述提取液滴为90-130μL的H2O、H2O2、HF混合溶液； 步骤四、将所述提取液滴进行ICP-MS分析，计算得到所述提取液滴中的金属成份含量。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华虹半导体(无锡)有限公司，其通讯地址为：214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励