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龙图腾网获悉中国航天科工集团八五一一研究所申请的专利一种基于互补结构的透明吸透波一体化电磁材料单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115810920B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211638660.3，技术领域涉及：H01Q17/00；该发明授权一种基于互补结构的透明吸透波一体化电磁材料单元是由李由;国少卿;练志峰;孙永志;黄铭初;邢贝贝;王炜;金笈;胡雪容;胡紫琳;王毅;曹群生设计研发完成，并于2022-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于互补结构的透明吸透波一体化电磁材料单元在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于互补结构的透明吸透波一体化电磁材料单元，包括自上而下平行间隔分布的顶层介质层、中间介质层和底层介质层，在顶层介质层的上表面和底层介质层的上表面分别设有相同的以圆环状周期排布的透明ITO薄膜，在中间介质层的上表面设有圆环互补结构周期排布的透明ITO薄膜，相邻两层介质层之间为空气层。本发明具有机械硬度高、化学稳定性好等优点，能够在长时间内保证性能的稳定，使用寿命更长，且价格便宜，加工制作方便，性价比极高。

本发明授权一种基于互补结构的透明吸透波一体化电磁材料单元在权利要求书中公布了：1.一种基于互补结构的透明吸透波一体化电磁材料单元，其特征在于：包括自上而下平行间隔分布的顶层介质层、中间介质层和底层介质层，在顶层介质层的上表面和底层介质层的上表面分别设有相同的以圆环状周期排布的透明ITO薄膜，在中间介质层的上表面设有圆环互补结构周期排布的透明ITO薄膜，相邻两层介质层之间为空气层； 介质层材料采用PET，相对介电常数为3，损耗角正切为0.06； 圆环状周期排布的透明ITO薄膜，是采用磁溅射技术印制在顶层介质层和底层介质层上的圆环形透明阻性薄膜，这些薄膜在平面上沿两个垂直方向周期排布； 圆环互补结构周期排布的透明ITO薄膜，是在全覆盖有透明ITO薄膜的中间介质层上蚀刻出的圆环缝隙，这些缝隙的尺寸和排布与顶层介质层、底层介质层上的圆环ITO薄膜单元一致； 中间介质层及顶层介质层上的ITO薄膜方阻为RS2=RS1=160Ωsq，用于损耗电磁波，空气层用于与自由空间阻抗的匹配，产生了宽带吸波的效果； 第三基质层上的ITO薄膜方阻为RS3=5Ωsq，表现出低通滤波器的效果，形成一个低频传输通带。

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