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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799256B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211549643.2，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体器件及其制备方法是由殷华湘;姚佳欣;魏延钊设计研发完成，并于2022-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种半导体器件及其制备方法。本发明设计的半导体器件包含衬底，位于衬底上方的NMOS区和PMOS区；其中，NMOS区包含第一NMOS区与第二NMOS区，第一NMOS区包含第一纳米片阵列，第二NMOS区包含第二纳米片阵列；PMOS区包含第一PMOS区与第二PMOS区，第一PMOS区包含第三纳米片阵列，第二PMOS区包含第四纳米片阵列；且第一纳米片阵列、第二纳米片阵列、第三纳米片阵列、第四纳米片阵列中每个纳米片沟道的外侧分别环绕有栅极电介质层，该栅极电介质层包含界面层，且该栅极电介质层还包含依次覆盖界面层的第一高k介质层、第二高k介质层与第三高k介质层；或者该栅极电介质层还包含依次覆盖界面层的第三高k介质层、第二高k介质层与第一高k介质层；其中，第一高k介质层与第三高k介质层的极性不同，第一高k介质层与第二高k介质层形成的电偶极子电场与第三高k介质层与第二高k介质层形成的电偶极子电场不同，在退火后改变IL中Si‑O极性强度，以此来实现器件不同位置的阈值调控。

本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括： 衬底； 位于所述衬底上方的NMOS区和PMOS区； 其中，所述NMOS区包含第一NMOS区与第二NMOS区，所述第一NMOS区包含第一纳米片阵列，所述第二NMOS区包含第二纳米片阵列； 所述PMOS区包含第一PMOS区与第二PMOS区，所述第一PMOS区包含第三纳米片阵列，所述第二PMOS区包含第四纳米片阵列； 所述第一纳米片阵列、所述第二纳米片阵列、所述第三纳米片阵列、所述第四纳米片阵列中每个纳米片沟道的外侧分别环绕有HKMG结构，所述HKMG结构包括栅极电介质层与金属栅，所述栅极电介质层包含界面层，还包含依次覆盖所述界面层的第一高k介质层、第二高k介质层与第三高k介质层； 或者所述栅极电介质层还包含依次覆盖所述界面层的第三高k介质层、第二高k介质层与第一高k介质层； 所述第一高k介质层与所述第二高k介质层之间形成有电偶极子，所述第三高k介质层与所述第二高k介质层之间形成有电偶极子； 其中，所述第一高k介质层的材质与所述第三高k介质层的材质具备不同极性； 源极区和漏极区。

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