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龙图腾网获悉湖南楚微半导体科技有限公司申请的专利一种减少光刻显影缺陷的调控方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115793418B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211305422.0，技术领域涉及：G03F7/30；该发明授权一种减少光刻显影缺陷的调控方法是由潘钙设计研发完成，并于2022-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种减少光刻显影缺陷的调控方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种减少光刻显影缺陷的调控方法，对旋覆浸没显影工艺进行调控，包括以下步骤：对半导体基片的显影面进行浸润和冲洗，停止旋转，调节内杯高度，使半导体基片位于内杯的腔体内部，开启旋转，喷洒显影液，显影，停止旋转，调节内杯高度，使半导体基片与内杯斜切面上方的平面处于同一水平面，开启旋转，去除基片表面杂质。本发明调控方法，通过显影过程并调控显影过程中内杯升降运动、半导体基片旋转运动、喷水、喷液等动作，不仅可以有效避免半导体基片表面形成缺陷，而且能够降低设备清洗频率，从而有利于提高有效管芯的良率，其中有效管芯的良率提升幅度为5%‑20%，以及有利于提高生产效率和降低成本，使用价值高，应用前景好。

本发明授权一种减少光刻显影缺陷的调控方法在权利要求书中公布了：1.一种减少光刻显影缺陷的调控方法，其特征在于，所述调控方法是对旋覆浸没显影工艺进行调控，包括以下步骤： S1、对半导体基片的显影面进行浸润和冲洗； S2、待冲洗完成后，停止半导体基片的旋转，调节显影装置的内杯高度，使半导体基片位于内杯的腔体内部，开启半导体基片的旋转，向半导体基片表面中心位置喷洒显影液； S3、对铺有显影液的半导体基片重复交替进行旋转和静置，完成对半导体基片表面的显影； S4、待显影完成后，半导体基片停止旋转，调节显影装置的内杯高度，使半导体基片与内杯斜切面上方的平面处于同一水平面，开启半导体基片的旋转，去除半导体基片表面包括反应产物在内的杂质； 在对半导体基片的显影面进行浸润和冲洗之前，还包括以下处理： 调节显影装置的内杯尺寸，使内杯斜切面上方直径与半导体基片直径的差值≤20mm； 将半导体基片固定在显影装置的旋转吸盘上，使显影面朝上；所述半导体基片包括硅片、LED晶片、液晶显示器基板、氮化硅晶圆中的其中一种。

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