长鑫存储技术有限公司朱凌峰获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利老化测试方法、系统与电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115774178B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111048227.X，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权老化测试方法、系统与电子设备是由朱凌峰设计研发完成，并于2021-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本老化测试方法、系统与电子设备在说明书摘要公布了：本公开提供一种晶圆老化测试方法、系统与电子设备。晶圆老化测试方法包括：获取目标芯片颗粒的多个测试单元在第i个老化时间段结束时的测试通过率，测试通过率为多个测试单元中测试结果为通过的测试单元的占比，i为大于1的整数；根据目标芯片颗粒在前i个老化时间段对应的测试通过率确定目标芯片颗粒对应的失效分布模型；根据失效分布模型确定目标芯片颗粒对应的目标老化时间；在当前时间小于目标老化时间时，继续对目标芯片颗粒进行下一个老化时间段的电流老化测试，在当前时间大于等于目标老化时间时，停止对目标芯片颗粒进行电流老化测试。本公开实施例可以对每个芯片颗粒确定合适的电流老化时间，进而提高芯片产品的可靠性。
本发明授权老化测试方法、系统与电子设备在权利要求书中公布了：1.一种老化测试方法，其特征在于，包括： 设置多个老化时间段，每个老化时间段的时长相等； 获取目标芯片颗粒的多个测试单元在第i个老化时间段结束时的测试通过率，所述测试通过率为所述多个测试单元中测试结果为通过的测试单元的占比，i为大于1的整数； 根据所述目标芯片颗粒在前i个所述老化时间段对应的测试通过率确定所述目标芯片颗粒对应的失效分布模型； 根据所述失效分布模型确定所述目标芯片颗粒对应的目标老化时间； 在当前时间小于所述目标老化时间时，继续对所述目标芯片颗粒进行下一个老化时间段的电流老化测试，在所述当前时间大于等于所述目标老化时间时，停止对所述目标芯片颗粒进行电流老化测试。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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