买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉湖南静芯微电子技术有限公司申请的专利一种内嵌PMOS的双向可控硅静电防护器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763476B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211589424.7，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种内嵌PMOS的双向可控硅静电防护器件及其制作方法是由董鹏;李爽;骆生辉;李幸;黄昭;李忠设计研发完成，并于2022-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种内嵌PMOS的双向可控硅静电防护器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种内嵌PMOS的双向可控硅静电防护器件，包括P型衬底；衬底中设有N型埋层；N型埋层上方有N型深阱；N型深阱内设有第一P阱、第二P阱，以及第一N阱；利用跨接在第一N阱与第二P阱中多晶硅栅接阴极来引导电流，其中接阴极的多晶硅栅能产生垂直向上的电场力，促进载流子在P阱中的运动，从而减小导通电阻；第一N阱中的P+与第一P阱中的N+短接，使其在传统的双向可控硅静电防护器件的基础上增加一条ESD电流泄放路径，可有效地抑制SCR泄放路径的正反馈效应；本发明的可控硅整流器静电释放器件具有低触发电压及高的抗ESD能力的特点，可在有效避免闩锁效应的同时实现高防护等级。

本发明授权一种内嵌PMOS的双向可控硅静电防护器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种内嵌PMOS的双向可控硅静电防护器件，其特征在于：包括P型衬底； 所述衬底中设有N型埋层； 所述N型埋层上方为N型深阱； 所述N型深阱上设有第一N阱、第一P阱、第二P阱； 所述N型深阱上从左往右依次设有第一P阱与第一N阱与第二P阱；所述第一P阱上从左往右依次设有第一P+注入、第一N+注入、第二P+注入、第二N+注入；所述第一N阱上设有第三P+注入；所述第二P阱上从左到右依次设有第四P+注入、第三N+注入；第一栅极横向跨接于第一N阱与第二P阱的交接区，且连接至阴极； 所述第一P阱中的第一P+注入、第二P+注入两个电极均连接在一起并作为器件的阳极；第二P阱中的第三N+注入与第一栅极连接在一起作为器件的阴极；第一P阱中的第一N+注入与第二P阱中的第四P+注入通过金属线连接在一起，不接电位，形成第一分流路径；第一P阱中的第二N+注入与第一N阱中的第三P+注入通过金属线连接在一起，不接电位，形成第二分流路径； 所述第三P+注入位于第一N阱、第四P+注入位于第二P阱，二者与第一栅极构成PMOS结构。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖南静芯微电子技术有限公司，其通讯地址为：410000 湖南省长沙市长沙经济技术开发区螺丝塘路德普企业公元6栋C座303；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。