青岛物元技术有限公司张添尚获国家专利权
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龙图腾网获悉青岛物元技术有限公司申请的专利钨的填充方法、半导体的制造方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763368B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211547965.3，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权钨的填充方法、半导体的制造方法及半导体器件是由张添尚;颜天才;杨列勇;曹学文设计研发完成，并于2022-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本钨的填充方法、半导体的制造方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种钨的填充方法、半导体的制造方法及半导体器件。其中，钨的填充方法包括以下步骤：在孔洞的内壁上生长硅层；向孔洞内通入WF6气体，使其与硅层发生置换反应，将硅层置换为钨层；在所生成的钨层表面生长硅层并通入WF6气体进行下一层钨层的置换；重复以上步骤，直至置换生成的钨填满孔洞。该钨的填充方法可以无缝隙产生地在孔洞内填充金属钨。
本发明授权钨的填充方法、半导体的制造方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种钨的填充方法，用于在孔洞中填充钨，其特征在于，包括以下步骤： 在所述孔洞的内壁上生长硅层；在所述硅层生长之前，在所述孔洞的内壁上不设置黏着层； 向所述孔洞内通入WF6气体，使WF6气体与所述硅层发生置换反应，将硅层置换为钨层； 在所生成的钨层表面生长硅层并通入WF6气体进行下一层钨层的置换； 重复以上步骤，直至置换生成的钨填满所述孔洞。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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