绍兴中芯集成电路制造股份有限公司汪旭东获国家专利权
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龙图腾网获悉绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利一种IGBT器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763248B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211597998.9，技术领域涉及：H10D12/01；该发明授权一种IGBT器件及其制造方法是由汪旭东;王珏设计研发完成，并于2022-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种IGBT器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种IGBT器件及其制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成深沟槽以及浅沟槽，所述深沟槽的线宽大于所述浅沟槽的线宽；形成覆盖所述半导体衬底的栅极介电层，所述深沟槽和所述浅沟槽的底部和侧壁上均形成有所述栅极介电层；形成覆盖所述半导体衬底的栅极材料层，以在所述深沟槽和所述浅沟槽中填充栅极材料；回刻蚀所述栅极材料层，以在所述深沟槽中形成栅极，在所述浅沟槽内侧壁上形成虚拟栅极。根据本发明提供的IGBT器件及其制造方法，与传统IGBT器件的发射极相比，沟槽深度减小且沟槽数量减少，使得栅极至发射极的电容减小，进而使IGBT器件的输入电容减小，从而减小IGBT器件的开关损耗，提升IGBT器件的开关速度以及开关恢复能力。
本发明授权一种IGBT器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种IGBT器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成深沟槽以及浅沟槽，所述深沟槽的线宽小于所述浅沟槽的线宽； 形成覆盖所述半导体衬底的栅极介电层，所述深沟槽和所述浅沟槽的底部和侧壁上均形成有所述栅极介电层； 形成覆盖所述半导体衬底的栅极材料层，以在所述深沟槽和所述浅沟槽中填充栅极材料； 回刻蚀所述栅极材料层，以在所述深沟槽中形成栅极，在所述浅沟槽内侧壁上形成虚拟栅极，所述虚拟栅极填充部分所述浅沟槽且覆盖所述浅沟槽的部分底部。
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