意法半导体有限公司M·布拉赫姆获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体有限公司申请的专利用于低功率MOX传感器的适应性测试方法和设计获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115753908B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211461317.6,技术领域涉及:G01N27/12;该发明授权用于低功率MOX传感器的适应性测试方法和设计是由M·布拉赫姆;H·玛杰里;O·勒内尔;R·山卡尔设计研发完成,并于2018-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于低功率MOX传感器的适应性测试方法和设计在说明书摘要公布了:本公开涉及用于低功率MOX传感器的适应性测试方法和设计。本公开涉及一种包括多个气体传感器的气体传感器设备。气体传感器中的每一个包括半导体金属氧化物SMO膜、加热器和温度传感器。SMO膜中的每一个被设计为对不同的气体浓度范围敏感。结果,气体传感器设备能够获得针对大范围的气体浓度水平的准确读数。另外,气体传感器基于由气体传感器设备检测到的当前气体浓度被选择性地激活和去激活。因此,气体传感器设备能够节省电力,因为气体传感器在适当的时候被打开而不是持续地被打开。
本发明授权用于低功率MOX传感器的适应性测试方法和设计在权利要求书中公布了:1.一种气体传感器设备,包括: 第一气体传感器,所述第一气体传感器包括: 第一加热器;以及 在所述第一加热器上的第一气敏膜,所述第一气敏膜具有第一表面积,所述第一气敏膜包括单个区段,所述第一加热器被配置为加热所述第一气敏膜的所述单个区段;以及 第二气体传感器,所述第二气体传感器包括: 第二加热器;以及 在所述第二加热器上的第二气敏膜,所述第二气敏膜具有大于所述第一表面积的第二表面积,所述第二气敏膜包括第一区段、以及与所述第一区段间隔开的第二区段,所述第二加热器被配置为加热所述第二气敏膜的所述第一区段和所述第二区段。
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