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龙图腾网获悉上海芯链微电子科技有限公司申请的专利用于超高速NVM读取通路的位线预充电电路及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115731995B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210929350.0，技术领域涉及：G11C16/06；该发明授权用于超高速NVM读取通路的位线预充电电路及芯片是由陈建忠设计研发完成，并于2022-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于超高速NVM读取通路的位线预充电电路及芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于超高速NVM读取通路的位线预充电电路及芯片，该电路包括：与位线连接的全上拉预充电电路、上拉电路、以及电位均衡电路；全上拉预充电电路用于在预充电阶段，对位线进行充电至预充电电压；上拉电路用于在非读操作时，将位线上拉到所述预充电电压；电位均衡电路设置在第一位线和第二位线之间，用于在全上拉预充电电路对位线进行充电过程中，控制第一位线电压和第二位线电压保持相等，第一位线为选中存储单元的位线，第二位线为对应的参考存储单元的位线。利用本发明方案，可以实现对位线的快速充电，缩短读周期的时间，满足对超高速NVM的高速读取应用需求。

本发明授权用于超高速NVM读取通路的位线预充电电路及芯片在权利要求书中公布了：1.一种用于超高速NVM读取通路的位线预充电电路，其特征在于，所述电路包括：与位线连接的全上拉预充电电路、上拉电路、以及电位均衡电路；所述位线在预充电阶段被列选择电路控制选中； 所述全上拉预充电电路，用于在预充电阶段，对位线进行充电至预充电电压； 所述上拉电路，用于在非读操作时，将位线上拉到所述预充电电压； 所述电位均衡电路，设置在第一位线和第二位线之间，用于在所述全上拉预充电电路对位线进行充电过程中，控制第一位线电压和第二位线电压保持相等，所述第一位线为选中存储单元的位线，所述第二位线为对应的参考存储单元的位线； 所述全上拉预充电电路受控于预充电时序控制信号ATD_B；在预充电阶段，所述预充电时序控制信号ATD_B开启所述全上拉预充电电路对选中的位线进行充电；在预充电阶段结束后，所述预充电时序控制信号ATD_B将所述全上拉预充电电路关断； 所述上拉电路受控于上拉控制信号SENB；在非读操作时，所述上拉控制信号SENB将所述第一位线电压和所述第二位线电压上拉到所述预充电电压；在整个读周期内，所述上拉控制信号SENB控制上拉通路关断。

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