旺宏电子股份有限公司曾柏皓获国家专利权
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龙图腾网获悉旺宏电子股份有限公司申请的专利用于模拟内容可寻址存储器的存储单元及其装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115731990B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111042504.6，技术领域涉及：G11C16/04；该发明授权用于模拟内容可寻址存储器的存储单元及其装置是由曾柏皓;李峯旻;李明修设计研发完成，并于2021-09-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于模拟内容可寻址存储器的存储单元及其装置在说明书摘要公布了：本公开提供一种用于一模拟内容可寻址存储器的存储单元和模拟内容可寻址存储器装置。模拟内容可寻址存储器的存储单元包括一N型晶体管、一P型晶体管、及一电流控制电路。N型晶体管的栅极用于接收一第一输入信号。P型晶体管的栅极用于接收一第二输入信号。电流控制电路耦接至N型晶体管及P型晶体管的至少二者之一，用于产生至少一导通电流。其中，当第一输入信号的输入电压与第二输入信号的输入电压位于一匹配范围内时，N型晶体管与P型晶体管均导通，且对应的导通电流实质上为一固定电流值。匹配范围与N型晶体管的阈值电压、P型晶体管的阈值电压、及固定电流值相关。
本发明授权用于模拟内容可寻址存储器的存储单元及其装置在权利要求书中公布了：1.一种用于模拟内容可寻址存储器的存储单元，该存储单元包括： 一N型晶体管，具有一第一栅极，该N型晶体管的该第一栅极用于接收一第一输入信号； 一P型晶体管，具有一第二栅极，该P型晶体管的该第二栅极用于接收一第二输入信号；以及 一电流控制电路，耦接至该N型晶体管及该P型晶体管的至少二者之一，用于产生至少一导通电流； 其中，该N型晶体管、该P型晶体管和该电流控制电路串联连接，该N型晶体管耦接至一匹配信号线，该电流控制电路耦接至一源极线；当该第一输入信号的输入电压与该第二输入信号的输入电压位于一匹配范围内时，该N型晶体管与该P型晶体管均导通，且对应的该导通电流实质上为一固定电流值，该匹配范围与该N型晶体管的阈值电压、该P型晶体管的阈值电压、及该固定电流值相关。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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