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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利一种高均匀性氮化镓异质结材料结构及外延生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115719758B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211558532.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种高均匀性氮化镓异质结材料结构及外延生长方法是由彭大青;李忠辉;李传皓;杨乾坤;陈韬设计研发完成，并于2022-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高均匀性氮化镓异质结材料结构及外延生长方法在说明书摘要公布了：一种高均匀性氮化镓异质结材料结构及外延生长方法，涉及半导体单晶薄膜技术领域。所述材料结构自下而上包括：SiC衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、InAlGaN插入层、AlGaN势垒层；所述材料采用金属有机物化学气相沉积方法在衬底上外延制备。InAlGaN插入层能够增强异质结量子阱中载流子的限域性，提高二维电子气迁移率。与常规的AlN插入层相比，InAlGaN插入层与GaN缓冲层的晶格失配度较小，不易发生晶格驰豫，厚度的选择窗口较大，工艺容易控制，插入层原子层数增加有利于提高氮化镓高电子迁移率晶体管材料电学特性的均匀性、一致性。采用渐变升温的工艺生长InAlGaN插入层，能够有效提高插入层表面质量，避免升温对材料性能的影响。

本发明授权一种高均匀性氮化镓异质结材料结构及外延生长方法在权利要求书中公布了：1.一种高均匀性氮化镓异质结材料结构的外延生长方法，其特征在于，所述高均匀性氮化镓异质结材料结构自下而上依次为衬底1、AlN成核层2、GaN缓冲层3、InAlGaN插入层4和AlGaN势垒层5，其中AlN成核层2厚度为10-100nm，GaN缓冲层3厚度为500-2500nm，InAlGaN插入层4厚度为2-4nm，AlGaN势垒层5厚度为10-30nm； 所述外延生长方法步骤如下： 步骤一.选取衬底1，将其放置于金属有机物化学气相沉积设备反应腔内； 步骤二.将反应腔升温至1000-1200℃，通入氢气，对衬底1进行烘烤处理，时间5-10分钟； 步骤三.调整反应腔温度至1000-1200℃，设定反应腔压力为50-100Torr，通入氨气和三甲基铝，生长10-100nm厚AlN成核层2； 步骤四.关闭三甲基铝，调整反应腔温度至950-1100℃，设定反应腔压力为100-500Torr，通入三甲基镓，生长500-2500nm厚GaN缓冲层3； 步骤五.调整反应腔温度至850-900℃，设定反应腔压力为50-150Torr，通入三甲基铟、三甲基铝，在缓冲层上生长2-4nm厚InAlGaN插入层4，生长过程中温度渐变升高至950-1000℃； 步骤六.关闭三甲基铟，保持反应腔温度、压力不变，生长10-30nm厚AlGaN势垒层5； 步骤七.关闭氨气、三甲基铝和三甲基镓，降至室温，取片。

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