长鑫存储技术有限公司曹新满获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115696922B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211460500.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构是由曹新满设计研发完成，并于2022-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构及其制备方法，该制备方法包括：提供衬底；于衬底上形成图案化的阻隔结构和接触材料层，阻隔结构包括层叠设置的电连接层和保护层，阻隔结构的开口定义出位线接触孔的位置，接触材料层形成于位线接触孔中，接触材料层的顶面高于电连接层的顶面；获取接触材料层的顶面与电连接层的顶面之间的初始距离；若初始距离大于预设距离，使位于表层的接触材料层反应形成牺牲层，位于牺牲层下方的接触材料层作为接触层，以使接触层的顶面与电连接层的顶面之间的距离不大于预设距离；去除牺牲层。通过该方式，能够较为有效地避免传统技术中位线接触上方的位线材料更早被刻蚀的问题，进而改善位线接触上方的位线偏细的问题。
本发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供衬底； 于所述衬底上形成图案化的阻隔结构和接触材料层，所述阻隔结构包括层叠设置的电连接层和保护层，所述电连接层位于所述衬底和所述保护层之间，所述阻隔结构的开口定义出位线接触孔的位置，所述接触材料层形成于所述位线接触孔中，所述接触材料层的顶面高于所述电连接层的顶面； 获取所述接触材料层的顶面与所述电连接层的顶面之间的初始距离，若所述初始距离大于预设距离，则使位于表层的所述接触材料层反应形成牺牲层，位于所述牺牲层下方的所述接触材料层作为接触层，以使所述接触层的顶面与所述电连接层的顶面之间的距离不大于所述预设距离；以及 去除所述牺牲层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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