美光科技公司U·西奇利亚尼获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利单层级单元存储器的混合并行编程的方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115691617B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210864087.1，技术领域涉及：G11C16/10；该发明授权单层级单元存储器的混合并行编程的方法和装置是由U·西奇利亚尼;V·莫斯基亚诺;W·迪·弗朗西斯可设计研发完成，并于2022-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本单层级单元存储器的混合并行编程的方法和装置在说明书摘要公布了：本申请案涉及单层级单元存储器的混合并行编程。存储器装置包含具有高速缓冲寄存器和数据寄存器的页缓冲器、具有配置为单层级单元SLC存储器的存储器单元的子块集的存储器阵列，以及控制逻辑。所述控制逻辑执行包含以下操作的操作：致使SLC数据的第一页存储于所述高速缓冲寄存器中；致使所述SLC数据的所述第一页从所述高速缓冲寄存器移动到第一数据寄存器；致使所述SLC数据的后一页存储于所述高速缓冲寄存器中；致使存储于所述高速缓冲寄存器中的所述SLC数据和存储于所述数据寄存器中的所述SLC数据同时编程到所述子块集，其中所述第一页编程到第一子块且所述后一页编程到后一子块；和致使并行地执行用于编程所述子块集的所述操作的子集。
本发明授权单层级单元存储器的混合并行编程的方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，其包括： 页缓冲器，其包括高速缓冲寄存器和多个数据寄存器； 存储器阵列，其包括与所述页缓冲器耦合的子块集，其中所述子块集包括配置为单层级单元SLC存储器的存储器单元；和 控制逻辑，其以操作方式与所述页缓冲器耦合，所述控制逻辑执行包括以下的操作： 致使SLC数据的第一页存储于所述高速缓冲寄存器中； 致使所述SLC数据的所述第一页从所述高速缓冲寄存器移动到所述多个数据寄存器中的第一数据寄存器； 致使所述SLC数据的后一页存储于所述高速缓冲寄存器中； 致使存储于所述高速缓冲寄存器中的所述SLC数据和存储于所述多个数据寄存器的所述第一数据寄存器中的所述SLC数据同时编程到所述子块集，其中所述第一页编程到第一子块且所述后一页编程到所述子块集中的后一子块；和 致使并行地执行用于编程所述子块集的操作。
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