长鑫存储技术有限公司张魁获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体存储装置及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115666128B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110771816.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体存储装置及其制作方法是由张魁设计研发完成，并于2021-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储装置及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体存储装置及其制作方法，涉及半导体技术领域。该半导体存储装置包括：交替层叠设置的氮化层和存储组合单元；其中，存储组合单元的外层为第一绝缘体，第一绝缘体的内侧为环形的浮置体，浮置体的内侧为环形的沟道区，沟道区的内侧形成有栅极；至少一对通孔，分别贯穿存储组合单元，以打断环形的浮置体、沟道区和栅极；至少一对通孔中，一个通孔中填充有源极，源极只与两侧的沟道区接触；另一个通孔中填充有漏极，漏极只与两侧的沟道区接触。本公开可以提高半导体存储装置的集成度。
本发明授权半导体存储装置及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，其特征在于，包括： 交替层叠设置的氮化层和存储组合单元；其中，所述存储组合单元的外层为第一绝缘体，所述第一绝缘体的内侧为环形的浮置体，所述浮置体的内侧为环形的沟道区，所述沟道区的内侧形成有栅极； 至少一对通孔，分别贯穿所述存储组合单元，以打断环形的所述浮置体、所述沟道区和所述栅极； 所述至少一对通孔中，一个所述通孔中填充有源极，所述源极只与两侧的所述沟道区接触；另一个所述通孔中填充有漏极，所述漏极只与两侧的所述沟道区接触。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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